Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
RGT16NS65DGTLROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 8A IGBT Stop TrenchНетSiSMD/SMT650 V1.65 V30 V16 A94 W- 40 C+ 175 CRGT16NS65DCut Tape, MouseReel, Reel
RGT16TM65DGC9ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBTНетSiTO-220-3Through HoleSingle650 V1.65 V30 V9 A22 W- 40 C+ 175 CTube
RGT30NL65DGTLROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBTНетSiTO-263L-3SMD/SMTSingle650 V1.65 V30 V30 A133 W- 40 C+ 175 CCut Tape, Reel
RGT30NS65DGC9ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-262-3Through HoleSingle650 V1.65 V30 V30 A133 W- 40 C+ 175 CTube
RGT30NS65DGTLROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 15A IGBT Stop TrenchНетSiTO-263-3SMD/SMT650 V1.65 V30 V30 A133 W- 40 C+ 175 CRGT30NS65DCut Tape, MouseReel, Reel
RGT30TM65DGC9ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBTНетSiTO-220-3Through HoleSingle650 V1.65 V30 V14 A32 W- 40 C+ 175 CTube
RGT40NL65DGTLROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBTНетSiTO-263L-3SMD/SMTSingle650 V1.65 V30 V40 A161 W- 40 C+ 175 CCut Tape, Reel
RGT40NS65DGC9ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-262-3Through HoleSingle650 V1.65 V30 V40 A161 W- 40 C+ 175 CTube
RGT40NS65DGTLROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 20A IGBT Stop TrenchНетSiTO-263-3SMD/SMT650 V1.65 V30 V40 A161 W- 40 C+ 175 CRGT40NS65DCut Tape, MouseReel, Reel
RGT40TM65DGC9ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBTНетSiTO-220-3Through HoleSingle650 V1.65 V30 V17 A39 W- 40 C+ 175 CTube
RGT40TS65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 20A IGBT Stop TrenchНетSiTO-247-3Through Hole650 V1.65 V30 V40 A144 W- 40 C+ 175 CRGT40TS65DTube
RGT50NL65DGTLROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBTНетSiTO-263L-3SMD/SMTSingle650 V1.65 V30 V48 A194 W- 40 C+ 175 CCut Tape, Reel
RGT50NS65DGC9ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-262-3Through HoleSingle650 V1.65 V30 V48 A194 W- 40 C+ 175 CTube
RGT50NS65DGTLROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiSMD-3SMD/SMTSingle650 V1.65 V30 V48 A194 W- 40 C+ 175 CCut Tape, Reel
RGT50TM65DGC9ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBTНетSiTO-263-3SMD/SMTSingle650 V1.65 V30 V30 A133 W- 40 C+ 175 CTube
RGT50TS65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 25A IGBT Stop TrenchНетSiTO-247-3Through Hole650 V1.65 V30 V48 A174 W- 40 C+ 175 CRGT50TS65DTube
RGT60TS65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A IGBT Stop TrenchНетSiTO-247-3Through Hole650 V1.65 V30 V55 A194 W- 40 C+ 175 CRGT60TS65DTube
RGT80TS65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A IGBT Stop TrenchНетSiTO-247-3Through Hole650 V1.65 V30 V70 A234 W- 40 C+ 175 CRGT80TS65DTube
RGT8BM65DTLROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 4A IGBT Stop TrenchНетSiTO-252-3SMD/SMT650 V1.65 V30 V8 A62 W- 40 C+ 175 CRGT8BM65DCut Tape, MouseReel, Reel
RGT8NL65DGTLROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBTНетSiTO-263L-3SMD/SMTSingle650 V1.65 V30 V8 A65 W- 40 C+ 175 CCut Tape, Reel
RGT8NS65DGC9ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-262-3Through HoleSingle650 V1.65 V30 V8 A65 W- 40 C+ 175 CTube
RGT8NS65DGTLROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 4A IGBT Stop TrenchНетSiTO-263-3SMD/SMT650 V1.65 V30 V8 A65 W- 40 C+ 175 CRGT8NS65DCut Tape, MouseReel, Reel
RGT8TM65DGC9ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBTНетSiTO-220-3Through HoleSingle650 V1.65 V30 V5 A16 W- 40 C+ 175 CTube
RGTH00TK65DGC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.6 V30 V35 A72 W- 40 C+ 175 CTube
RGTH00TK65GC11ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT APНетSiTO-3PFMThrough HoleSingle650 V1.6 V30 V35 A72 W- 40 C+ 175 CTube

Страницы