Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
IKW75N60TAInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 75A 100nAНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V80 A428 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOPTube
IKW75N60TAFKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 75A 100nAНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V80 A428 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOPTube
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 75AНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V80 A428 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP IGBTTube
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Infineon s new TRENCHSTOP 5 IGBT technology redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrougНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.65 V20 V90 A395 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 H5Tube
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V IGBT Trenchstop 5НетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.1 V20 V80 A536 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 L5Tube
IKW75N65ES5Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trenchstop 5 IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.42 V20 V80 A395 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 S5Tube
IKW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCHSTOP 5 S5 is the new IGBT family addressing applications switching between 10kHz and 40kHz to deliver high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB biНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.42 V20 V80 A395 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 S5Tube
IKY40N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)НетSiTO247-4-2Through HoleSingle1200 V2 V20 V80 A500 W- 40 C+ 175 CTube
IKY40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14НетSiTO-247-4Through HoleSingle1200 V1.85 V20 V80 A500 W- 40 C+ 175 CIGBT6Tube
IKY50N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)НетSiTO247-4-2Through HoleSingle1200 V2 V20 V100 A652 W- 40 C+ 175 CTube
IKY75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)НетSiTO247-4-2Through HoleSingle1200 V2 V20 V150 A938 W- 40 C+ 175 CTube
IKY75N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14НетSiTO-247-4Through HoleSingle1200 V1.85 V20 V150 A880 W- 40 C+ 175 CIGBT6Tube
IKZ50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-4Through HoleSingle650 V1.65 V20 V85 A273 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 H5Tube
IKZ50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) To further enhance the best-in-class performance of the TRENCHSTOP 5 IGBT technology, Infineon offers the technology in a high power package with an extra Kelvin emitter pin. The TO-247 4pin provides uНетSiTO-247-4Through HoleSingle650 V1.35 V20 V80 A274 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 S5Tube
IKZ50N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-4Through HoleSingle650 V1.65 V20 V85 A273 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 H5Tube
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-4Through HoleSingle650 V1.65 V20 V90 A395 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 H5Tube
IKZ75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSДаSiTO-247-4Through HoleSingle650 V1.1 V20 V100 A536 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 L5Tube
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) To further enhance the best-in-class performance of the TRENCHSTOP 5 IGBT technology, Infineon offers the technology in a high power package with an extra Kelvin emitter pin. The TO-247 4pin provides uНетSiTO-247-4Through HoleSingle650 V1.42 V20 V80 A395 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 S5Tube
IKZ75N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSДаSiTO-247-4Through HoleSingle650 V1.65 V20 V90 A395 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP 5 H5Tube
SGB02N120Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2AНетSiTO-263-3SMD/SMTSingle1200 V20 V- 55 C+ 150 CSGB02N120Cut Tape, MouseReel, Reel
SGB07N120Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 8AНетSiTO-263-3SMD/SMTSingle1200 V20 V- 55 C+ 150 CSGB07N120Cut Tape, MouseReel, Reel
SGB15N120Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 15AНетSiTO-263-3SMD/SMTSingle1200 V20 V- 55 C+ 150 CSGB15N120Cut Tape, MouseReel, Reel
SGD02N120Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2AНетSiTO-252-3SMD/SMTSingle1200 V20 V- 55 C+ 150 CSGD02N120Cut Tape, MouseReel, Reel
SGD02N60Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 600V 2AНетSiTO-252-3SMD/SMTSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSGD02N60Reel
SGP02N120Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2AНетSiTO-220-3Through HoleSingle1200 V20 V- 55 C+ 150 CSGP02N120Tube

Страницы