Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
IKQ50N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO247-3-46Through HoleSingle1200 V1.75 V20 V100 A652 W- 40 C+ 175 CTube
IKQ75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO247-3-46Through HoleSingle1200 V2 V20 V150 A938 W- 40 C+ 175 CTube
IKQ75N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14НетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.85 V20 V150 A880 W- 40 C+ 175 CIGBT6Tube
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO247-3-46Through HoleSingle1200 V1.75 V20 V150 A938 W- 40 C+ 175 CTube
IKW08T120Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 8AНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.7 V20 V16 A70 W- 40 C+ 150 CTRENCHSTOP IGBTTube
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 8AНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.7 V20 V16 A70 W- 40 C+ 150 CTRENCHSTOP IGBTTube
IKW15N120BH6XKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14НетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.9 V20 V30 A200 W- 40 C+ 175 CIGBT6Tube
IKW15N120H3Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V2.05 V20 V30 A217 W- 40 C+ 175 CHighSpeed 3Tube
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V2.05 V20 V30 A217 W- 40 C+ 175 CHighSpeed 3Tube
IKW15N120T2Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 15AНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V2.2 V20 V30 A235 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP IGBTTube
IKW15T120Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 15AНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.7 V20 V30 A110 W- 40 C+ 150 CTRENCHSTOP IGBTTube
IKW20N60H3Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A 170WНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.95 V20 V40 A170 W- 40 C+ 175 CHighSpeed 3Tube
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A 170WНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.95 V20 V40 A170 W- 40 C+ 175 CHighSpeed 3Tube
IKW20N60TInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 20AНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V40 A166 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP IGBTTube
IKW20N60TAInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStopНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V40 A166 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOPTube
IKW20N60TAFKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V40 A166 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOPTube
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 20AНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V41 A166 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP IGBTTube
IKW25N120H3Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V2.05 V20 V50 A326 W- 40 C+ 175 CHighSpeed 3Tube
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V2.05 V20 V50 A326 W- 40 C+ 175 CHighSpeed 3Tube
IKW25N120H3XKInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTSНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V2.05 V20 V50 A326 W- 40 C+ 175 CHighSpeed 3Tube
IKW25N120T2Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 25AНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.7 V20 V50 A349 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOP IGBTTube
IKW25T120Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 25AНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.7 V20 V50 A190 W- 40 C+ 150 CTRENCHSTOP IGBTTube
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 25AНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.7 V20 V50 A190 W- 40 C+ 150 CTRENCHSTOP IGBTTube
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstandinНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.6 V20 V53 A200 W- 40 C+ 175 C600V TRENCHSTOPTube
IKW30N60H3Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 187WНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.95 V20 V60 A187 W- 40 C+ 175 CHighSpeed 3Tube

Страницы