Всего результатов: 1850
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 32
- 33
- 34
- 35
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология ![]() | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 187W | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.95 V | 20 V | 60 A | 187 W | - 40 C | + 175 C | HighSpeed 3 | Tube | ||
IKW30N60T | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 30A | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.5 V | 20 V | 60 A | 187 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP IGBT | Tube | ||
IKW30N60TA | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT TrnchStp w/Soft Fast recovery | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.9 V | 20 V | 45 A | 187 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP | Tube | ||
IKW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 30A | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.9 V | 20 V | 45 A | 187 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP IGBT | Tube | ||
IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V IGBT Trenchstop 5 | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.05 V | 20 V | 85 A | 227 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP 5 L5 | Tube | ||
IKW30N65ES5 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trenchstop 5 IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.35 V | 20 V | 62 A | 188 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP 5 S5 | Tube | ||
IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCHSTOP 5 S5 is the new IGBT family addressing applications switching between 10kHz and 40kHz to deliver high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bi | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.35 V | 20 V | 62 A | 188 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP 5 S5 | Tube | ||
IKW30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Infineon s new TRENCHSTOP 5 IGBT technology redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthroug | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | TRENCHSTOP 5 H5 | Tube | ||||||||||
IKW30N65NL5XKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V IGBT Trenchstop 5 | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.05 V | 20 V | 85 A | 227 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP 5 L5 | Tube | ||
IKW30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) The reverse conducting TRENCHSTOP 5 WR5 IGBT was specifically optimized for full rated hard switching turn off typically found in Welding inverter application. Excellent price/performance ratio of WR5 | ![]() | Да | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.4 V | 20 V | 60 A | 185 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP 5 WR5 | Tube | ||
IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14 | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 1.85 V | 20 V | 80 A | 500 W | - 40 C | + 175 C | IGBT6 | Tube | ||
IKW40N120H3 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 2.05 V | 20 V | 80 A | 483 W | - 40 C | + 175 C | HighSpeed 3 | Tube | ||
IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 2.7 V | 20 V | 80 A | 483 W | - 40 C | + 175 C | HighSpeed 3 | Tube | ||
IKW40N120T2 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 40A | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 1.75 V | 20 V | 75 A | 480 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP IGBT | Tube | ||
IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 40A | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1200 V | 1.75 V | 20 V | 75 A | 480 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP IGBT | Tube | ||
IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstandin | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.6 V | 20 V | 67 A | 246 W | - 40 C | + 175 C | 600V TRENCHSTOP | Tube | ||
IKW40N60H3 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A 306W | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.95 V | 20 V | 80 A | 306 W | - 40 C | + 175 C | HighSpeed 3 | Tube | ||
IKW40N65ES5 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trenchstop 5 IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.35 V | 20 V | 79 A | 230 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP 5 S5 | Tube | ||
IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCHSTOP 5 S5 is the new IGBT family addressing applications switching between 10kHz and 40kHz to deliver high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bi | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.35 V | 20 V | 79 A | 230 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP 5 S5 | Tube | ||
IKW40N65F5 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 74 A | 255 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP 5 F5 | Tube | ||
IKW40N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 74 A | 255 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP 5 F5 | Tube | ||
IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 74 A | 255 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP 5 F5 | Tube | ||
IKW40N65H5 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.65 V | 20 V | 74 A | 250 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP 5 H5 | Tube | ||
IKW40N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.66 V | 20 V | 74 A | 250 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP 5 H5 | Tube | ||
IKW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS | ![]() | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.65 V | 20 V | 74 A | 250 W | - 40 C | + 175 C | TRENCHSTOP 5 H5 | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 32
- 33
- 34
- 35
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- …
- следующая ›
- последняя »