Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
IXA30PG1200DHGLBIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT PhaselegНетSiISOPLUS-9SMD/SMTSingle1200 V1.9 V20 V43 A150 W- 55 C+ 150 CIXA30PG1200DHGLBTube
IXA30RG1200DHGLBIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT PhaselegДаSiIXA30RG1200DHGLB
IXA33IF1200HBIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT CopackНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.8 V20 V58 A250 W- 55 C+ 150 CIXA33IF1200HBTube
IXA37IF1200HJIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBTsДаSiISOPLUS 247-3Through HoleSingle1200 V1.8 V20 V58 A195 W- 55 C+ 150 CIXA37IF1200HJTube
IXA40RG1200DHGLBIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT PhaselegДаSiIXA40RG1200DHGLB
IXA45IF1200HBIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Channel: Power MOSFET w/Fast DiodeНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.8 V20 V78 A325 W- 55 C+ 150 CIXA45IF1200HBTube
IXA4IF1200TCIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT CopackДаSiTO-268-AA-4SMD/SMTSingle1200 V1.8 V20 V9 A45 W- 55 C+ 150 CIXA4IF1200Tube
IXA4IF1200UCIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT CopackДаSiIXA4IF1200Reel
IXA55I1200HJIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 1200V 84A Single IGBTНетSiISOPLUS 247-3Through HoleSingle1200 V1.8 V20 V84 A290 W- 55 C+ 150 CIXA55I1200HJTube
IXB200I600NAIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT Single IGBTДаSiSingleIXB200I600NATube
IXB80IF600NAIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT Single IGBTДаSiSingleIXB80IF600NATube
IXBF20N300IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLTНетSiISOPLUS-i4-3Through HoleSingle3 kV2.7 V20 V34 A150 W- 55 C+ 150 CVery High VoltageTube
IXBF20N360IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 3600V/45A Reverse Conducting IGBTНетSiISOPLUS-I4-Pak-3Through HoleTube
IXBF32N300IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)НетSiISOPLUS-i4-3Through HoleSingle3 kV2.8 V20 V40 A160 W- 55 C+ 150 CVery High Voltage
IXBF40N160IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 Amps 1600VНетSiISOPLUS i4-PAC-3Through HoleSingle1.6 kV6.2 V20 V28 A250 W- 55 C+ 150 CIXBF40N160Tube
IXBF50N360IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 3600V/70A Reverse Conducting IGBTНетSiISOPLUS-I4-Pak-3Through Hole
IXBF55N300IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) High Voltage High Gain BIMOSFETНетSiISOPLUS i4-PAK-3Through HoleSingle3 kV2.7 V25 V86 A357 W- 55 C+ 150 CVery High Voltage
IXBF9N160GIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 9 Amps 1600V 1600V 9AНетSiISOPLUS i4-PAC-3SMD/SMTSingle1600 V4.9 V20 V- 55 C+ 150 CIXBF9N160GTube
IXBH10N170IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 Amps 1700V 2.3 RdsНетSiTO-247-3Through HoleSingle1700 V2.3 V20 V- 55 C+ 150 CIXBH10N170Tube
IXBH10N300HVIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLTНетSiTO-247HV-3Through HoleSingle3 kV2.2 V20 V34 A180 W- 55 C+ 150 CTube
IXBH12N300IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLTНетSiTO-247-3Through HoleSingle3 kV2.8 V20 V30 A160 W- 55 C+ 150 CVery High VoltageTube
IXBH16N170IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V 25AНетSiTO-247AD-3Through HoleSingle1700 V20 V150 W- 55 C+ 150 CIXBH16N170Tube
IXBH16N170AIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V 16AНетSiTO-247-3Through HoleSingle1700 V20 V150 W- 55 C+ 150 CIXBH16N170Tube
IXBH20N300IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLTНетSiTO-247-3Through HoleSingle3 kV2.7 V20 V50 A250 W- 55 C+ 150 CVery High VoltageTube
IXBH24N170IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BIMOSFETS 1700V 60AНетSiTO-247-3Through HoleSingle- 55 C+ 150 CIXBH24N170Tube

Страницы