Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1850
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
IXBH28N170AIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30Amps 1700VНетSiTO-247-3Through HoleSingle1700 V4.7 V20 V- 55 C+ 150 CIXBH28N170Tube
IXBH40N160IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1600V 33AНетSiTO-247AD-3Through HoleSingle1600 V20 V350 W- 55 C+ 150 CIXBH40N160Tube
IXBH42N170IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V 75AНетSiTO-247-3Through HoleSingle1700 V20 V360 W- 55 C+ 150 CIXBH42N170Tube
IXBH42N170AIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BIMOSET 42A 1700VНетSiTO-247-3Through HoleSingle1700 V5.2 V20 V- 55 C+ 150 CIXBH42N170Tube
IXBH42N250IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLTНетSiTO-247AD-3Through HoleSingle2.5 kV2.5 V25 V104 A500 W- 55 C+ 150 CTube
IXBH5N160GIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5 Amps 1600VНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.6 kV4.9 V20 V5.7 A68 W- 55 C+ 150 CIXBH5N160Tube
IXBH6N170IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 12 Amps 1700V 3.6 RdsНетSiTO-247AD-3Through HoleSingle1700 V2.3 V20 V- 55 C+ 150 CIXBH6N170Tube
IXBH9N160GIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 9 Amps 1600VНетSiTO-247AD-3Through HoleSingle1600 V4.9 V20 V- 55 C+ 150 CIXBH9N160Tube
IXBK55N300IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLTНетSiTO-264-3Through HoleSingle3 kV2.7 V25 V130 A625 W- 55 C+ 150 CVery High VoltageTube
IXBK75N170IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BIMOSFETS 1700V 200AНетSiTO-264-3Through Hole- 55 C+ 150 CIXBK75N170Tube
IXBK75N170AIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 65Amps 1700VНетSiTO-264-3Through HoleIXBK75N170
IXBL60N360IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 3600V/92A Rev Conducting IGBTНетSiISOPLUS-I5-Pak-3Through HoleTube
IXBL64N250IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAKНетSiISOPLUS i5-PAK-3Through HoleVery High Voltage
IXBN42N170AIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 42 Amps 1700V 6.0 V RdsНетSiSOT-227B-4SMD/SMTSingle1700 V20 V- 55 C+ 150 CIXBN42N170Tube
IXBN75N170AIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1700V 6.00 RdsНетSiSOT-227B-4SMD/SMTSingle1.7 kV4.95 V20 V75 A625 W- 55 C+ 150 CIXBN75N170Tube
IXBP5N160GIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5 Amps 1600VНетSiTO-220-3Through HoleSingle1600 V4.9 V20 V- 55 C+ 150 CIXBP5N160Tube
IXBR42N170IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 57Amps 1700VНетSiISOPLUS 247-3Through HoleIXBR42N170Tube
IXBT10N170IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 Amps 1700V 2.3 RdsНетSiTO-268-3SMD/SMTSingle1.7 kV3.4 V20 V20 A140 W- 55 C+ 150 CIXBT10N170Tube
IXBT12N300HVIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLTНетSiTO-268-2SMD/SMTSingle3 kV2.8 V20 V30 A160 W- 55 C+ 150 CVery High VoltageTube
IXBT16N170AIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V 16AНетSiTO-268-3SMD/SMTSingle1700 V20 V150 W- 55 C+ 150 CIXBT16N170Tube
IXBT16N170AHVIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMOSFET-HIGH VOLTНетSiTO-268HV-2SMD/SMTSingle1.7 kV6 V20 V16 A150 W- 55 C+ 150 CTube
IXBT24N170IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BiMOSFETs/Reverse Conducting IGBTsНетSiTO-268-2Through HoleIXBT24N170Tube
IXBT2N250IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLTНетSiTO-247-3Through HoleSingle2.5 kV3.15 V20 V5 A32 W- 55 C+ 150 CPlanarTube
IXBT42N170IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BIMOSFET 1700V 75AНетSiTO-268-3SMD/SMTSingle1700 V2.3 V20 V- 55 C+ 150 CIXBT42N170Tube
IXBT42N300HVIXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLTНетSiTO-268HV-2SMD/SMTSingle3 kV2.5 V25 V104 A500 W- 55 C+ 150 CTube

Страницы