Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
2N6214Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 450Vcbo 450Vcex 425Vcer 400Vceo 35WНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle400 V450 V6 V2.5 V- 65 C+ 200 C2N62
2N6260Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 4.0A 50Vcbo 40Vceo 1.5VceНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle40 V50 V1.5 V0.8 MHz2N62
2N6261Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 4.0A 90Vcbo 80Vceo 0.5VceНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle80 V90 V0.5 V0.8 MHz2N62
2N6263Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 3.0A 140Vcbo 120Vceo 1.2VceНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle120 V140 V1.2 V0.8 MHz2N62
2N6264Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 170Vcbo 170Vcev 160Vcer 150Vceo 50WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle150 V170 V7 V0.5 V200 MHz- 65 C+ 200 C2N62
2N6297Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle80 V80 V5 V2 V8 A4 MHz- 65 C+ 200 C2N6297
2N6298Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 8.0A 75WНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle60 V60 V5 V3 V4 MHz- 65 C+ 200 C2N62
2N6301Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 8.0A 75WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle80 V80 V5 V3 V4 MHz- 65 C+ 200 C2N63
2N6308Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 350Vceo 700Vcbo 8Vebo 8A 4A 125WНетSiThrough HoleTO-3-2NPNSingle350 V700 V8 V5 V5 MHz- 65 C+ 200 C2N6308
2N6312Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 5.0A 75WНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle40 V40 V5 V4 V4 MHz- 65 C+ 200 C2N63
2N6313Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 5.0A 75WНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle60 V60 V5 V4 V4 MHz- 65 C+ 200 C2N63
2N6314Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 5.0A 75WНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle80 V80 V5 V4 V4 MHz- 65 C+ 200 C2N63
2N6316Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle80 V80 V5 V2 V15 A4 MHz- 65 C+ 200 C2N6316
2N6318Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle80 V80 V5 V2 V15 A4 MHz- 65 C+ 200 C2N6318
2N6372Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 90Vcbo 90Vcev 85Vcer 80Vceo 40WНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle80 V90 V5 V2 V5 MHz- 65 C+ 200 C2N63
2N6373Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 70Vcbo 70Vcev 65Vcer 60Vceo 40WНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle60 V70 V5 V2 V5 MHz- 65 C+ 200 C2N63
2N6374Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 50Vcbo 50Vcev 45Vcer 40Vceo 40WНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle40 V50 V5 V2 V5 MHz- 65 C+ 200 C2N63
2N6388Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 10A 250mAНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle80 V2 V20 MHz2N6388
2N6420Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 250Vcbo 175Vceo 6.0VeboНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle175 V250 V6 V0.75 V10 MHz- 65 C+ 200 C2N64
2N6422Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 500Vcbo 300Vceo 6.0VeboНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle300 V500 V6 V0.75 V10 MHz- 65 C+ 200 C2N64
2N6423Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 500Vcbo 300Vceo 6.0Vebo 2.0A 35WНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle300 V500 V6 V1 V5 A15 MHz- 65 C+ 200 C2N6423
2N6424Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 250Vcbo 225Vceo 6.0VeboНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle225 V250 V6 V2.5 V10 MHz- 65 C+ 200 C2N64
2N6425Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 325Vcbo 300Vceo 6.0VeboНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle300 V325 V6 V2.5 V10 MHz- 65 C+ 200 C2N64
2N6428Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 60Vcbo 50Vceo 6.0Vebo 200mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle50 V60 V6 V0.6 V700 MHz- 65 C+ 150 C
2N6432Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 200Vcbo 200Vceo 6.0Vebo 100mA 500mWНетSiThrough HoleTO-18PNPSingle200 V200 V5 V0.5 V50 MHz- 65 C+ 200 C

Страницы