Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
2N4126 TRECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 25Vcbo 25Vceo 4.0Vebo 200mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3PNPSingle25 V25 V4 V0.4 V250 MHz- 65 C+ 150 C2N4126E
2N4231Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 3.0A 35W 50Vcbo 40Vceo 1.5A 2.0VceНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle50 V2 V4 MHz2N4231
2N4231ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 5.0A 75WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle40 V40 V5 V4 V4 MHz- 65 C+ 200 C2N42
2N4232Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 3.0A 35W 70Vcbo 60Vceo 2.0VНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle60 V70 V2 V4 MHz2N42
2N4233Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 3.0A 25W 90Vcbo 80Vceo 2.0V 3.0AНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle80 V90 V2 V4 MHz2N42
2N4233ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 3.0A 25W 90Vcbo 80Vceo 2.0V 3.0AНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle80 V80 V5 V4 V4 MHz- 65 C+ 200 C2N42
2N4240Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 500Vcbo 300Vceo 1.0Vce 2.0A 15MhzНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle300 V500 V6 V1 V5 A15 MHz- 65 C+ 200 C2N4240
2N4264Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 30Vcbo 15Vceo 6.0Vebo 200mAНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle15 V30 V6 V0.35 V350 MHz- 55 C+ 150 C
2N4296Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 350Vcbo 250V 4.0Vebo 1.0A 20WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle250 V350 V4 V1.5 V20 MHz- 65 C+ 175 C2N42
2N4298Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 500Vcbo 350V 4.0Vebo 1.0A 20WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle350 V500 V4 V1.5 V20 MHz- 65 C+ 175 C2N42
2N4299Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 350Vcbo 250V 4.0Vebo 1.0A 20WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle250 V350 V4 V1.5 V20 MHz- 65 C+ 175 C2N42
2N4400Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 60Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 600mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle40 V60 V6 V0.75 V200 MHz- 65 C+ 150 C2N4400
2N4402Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3PNPSingle40 V40 V5 V0.75 V150 MHz- 65 C+ 150 C2N4402
2N4424 TRECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 500mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle40 V60 V5 V0.3 V- 65 C+ 150 C2N4424
2N4900Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 1.0A 25W 80Vcbo 80Vceo 0.6VНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle80 V80 V0.6 V3 MHz2N49
2N4905Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-3-2PNPSingle60 V60 V5 V1.5 V4 MHz- 65 C+ 200 C2N4905
2N4910Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 1.0A 25W 40Vcbo 40Vceo 0.6VНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle40 V40 V0.6 V3 MHz2N49
2N4912Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle80 V80 V5 V600 mV1 A3 MHz- 65 C+ 200 C2N4912
2N5050Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 125Vcbo 125Vceo 6.0Vebo 2.0A 40WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle125 V125 V6 V5 V10 MHz- 65 C+ 175 C2N50
2N5087 TRACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 625mW 1.5WНетSiThrough HoleTO-92-3PNPSingle50 V50 V3 V0.3 V40 MHz- 65 C+ 150 C2N5087A
2N5193Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 4.0A 40WНетSiThrough HoleTO-126-3PNPSingle40 V40 V5 V1.4 V2 MHz- 65 C+ 150 C2N5193
2N5202Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 100Vcbo 75Vcer 50Vceo 6.0Vebo 35WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle50 V100 V6 V1.2 V- 65 C+ 200 C2N52
2N5249Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT JFET N-ChНетSiTO-92-3
2N5262Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 75cbo 50Vceo 5.0Vebo 2.0 1.0WНетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle50 V75 V5 V0.8 V3 A250 MHz- 65 C+ 200 C2N5262
2N5296Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 60Vcbo 60Vcev 4.0A 50Vcer 40Vceo 36WНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle40 V60 V1 V0.8 MHz- 65 C+ 150 C2N5296

Страницы