Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
Jantxv2N6988/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiSMD/SMTTO-86-14PNPQuad60 V60 V5 V1.6 V600 mA- 65 C+ 200 C
Jantxv2N6989/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-116-14NPNQuad50 V75 V6 V0.3 V800 mA- 65 C+ 200 C
JANTXV2N918/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-72-3NPNSingle15 V30 V3 V0.4 V50 mA- 65 C+ 200 C
JANTXV2N918UB/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-3NPNSingle15 V30 V3 V0.4 V50 mA- 65 C+ 200 C
Jantxv2N930/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-72-3NPNSingle15 V30 V3 V0.4 V50 mA- 65 C+ 200 C
2N2219ARectronБиполярные транзисторы - BJT TO-39НетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle40 V75 V6 V1 V800 mA300 MHz- 65 C+ 200 C
2N2222ARectronБиполярные транзисторы - BJT TO-18НетSiThrough HoleTO-18-3NPNSingle40 V75 V6 V1 V800 mA300 MHz- 65 C+ 200 C
2N2907ARectronБиполярные транзисторы - BJT TO-18НетSiThrough HoleTO-18-3PNPSingle60 V60 V5 V2.6 V600 mA200 MHz- 65 C+ 200 C
2N3019RectronБиполярные транзисторы - BJT NPN Silicon Planar TransistorНетSiThrough HoleTO-93-3NPNSingle80 V140 V7 V0.5 V1 A- 65 C+ 200 C
2N5401-FRectronБиполярные транзисторы - BJT PNP 0.6A 150V TransistorНетSiThrough HoleTO-92-3PNPSingle- 150 V- 160 V- 5 V- 0.5 V- 0.6 A300 MHz- 55 C+ 150 C2N
2N5551-TRectronБиполярные транзисторы - BJT NPN 0.6A 160VНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle160 V180 V6 V0.2 V100 MHz- 55 C+ 150 C
BC856RectronБиполярные транзисторы - BJT SOT23 PNP 0.1A 65V L owNoiseНетSiSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle65 V80 V5 V0.65 V100 mA100 MHz- 55 C+ 150 CBC8
BC856ARectronБиполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR SOT23 PNPНетSiSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle65 V80 V5 V0.65 V100 mA100 MHz- 55 C+ 150 CBC8
MMBT3906RectronБиполярные транзисторы - BJT SOT23 PNP 0.2A 40V G enPurНетSiSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 40 V- 40 V- 6 V- 0.2 V- 200 mA250 MHz- 65 C+ 150 C
2N1131Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 50Vcbo 50Vcer 35Vceo 0.6A Ic 2.0W PNPНетSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle35 V50 V5 V1.5 V0.6 A50 MHz- 65 C+ 200 C
2N1131ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 150mA 45pFНетSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle40 V60 V5 V1.5 V90 MHz2N657
2N2195BCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 45Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 150mA 20pFНетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle45 V5 V0.18 V50 MHz2N2195B
2N2218Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 800mWНетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle30 V60 V5 V1.6 V250 MHz- 65 C+ 200 C
2N2219 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 800mWНетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle30 V60 V5 V1.6 V250 MHz- 65 C+ 150 C2N22
2N2221Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 500mWНетSiThrough HoleTO-18NPNSingle30 V60 V5 V1.6 V250 MHz- 65 C+ 200 C
2N2368 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 40Vcbo 15Vceo 14Vebo 20V 10mAНетSiThrough HoleTO-18-3NPNSingle15 V40 V4.5 V0.25 V400 MHz2N23
2N2904Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8WНетSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle40 V60 V5 V1.6 V200 MHz- 65 C+ 200 C
2N2905Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8WНетSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle40 V60 V5 V1.6 V200 MHz- 65 C+ 200 C
2N2906Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8WНетSiThrough HoleTO-18PNPSingle40 V60 V5 V1.6 V600 mA200 MHz- 65 C+ 200 C
2N3053ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 15A, 60V PNP Power TransistorНетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle60 V80 V5 V0.3 V100 MHz- 65 C+ 200 C2N3053

Страницы