Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
2N5321Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle50 V75 V5 V800 mV2 A50 MHz- 65 C+ 200 C2N5321
2N5323Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle50 V75 V5 V1.2 V2 A50 MHz- 65 C+ 200 C2N5323
2N5333Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 100Vcbo PNP Trans 80Vceo 6.0Vebo 2.0AНетSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle80 V100 V6 V1 V30 MHz- 65 C+ 200 C2N5333
2N5338Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle100 V100 V6 V700 mV5 A30 MHz- 65 C+ 200 C2N5338
2N5375Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP Vcbo 40Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 360mWНетSiThrough HoleTO-92-3PNPSingle30 V40 V5 V300 mV150 MHz- 65 C+ 150 C
2N5400 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 130Vcbo 120Veo 5.0Vebo 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3PNPSingle120 V130 V5 V0.2 V400 MHz- 65 C+ 150 C2N54
2N5427Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 80Vcbo 80Vceo 7.0A 40W 0.7VceНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle80 V80 V0.7 V30 MHz2N54
2N5428Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 80Vcbo 80Vceo 7.0A 40W 0.7VceНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle80 V80 V0.7 V30 MHz2N54
2N5629 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 100Vcbo 100Vceo 7.0Vebo 5.0A 200WНетSiThrough HoleTO-3-2NPNSingle100 V100 V7 V2 V1 MHz- 65 C+ 200 C2N56
2N5781Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle65 V80 V5 V500 mV3.5 A60 MHz- 65 C+ 200 C2N5781
2N5783Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 45Vcbo 45Vcer 3.5A 40Vceo 3.5Vebo 10WНетSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle40 V45 V3.5 V2 V60 MHz- 65 C+ 200 C2N5783
2N5786 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 45Vcbo 40Vceo 3.5Vebo 2.0VНетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle40 V45 V3.5 V1 V1 MHz2N57
2N5822Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 70Vcbo 70Vces 60Vceo 5.0V 750mA 625wWНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle60 V70 V5 V0.75 V750 mA120 MHz- 65 C+ 150 C
2N5859Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 80Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 2.0A 1.0WНетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle40 V80 V6 V0.7 V250 MHz- 65 C+ 200 C2N5859
2N5886Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 25A 200WНетSiThrough HoleTO-3-2NPNSingle80 V80 V5 V4 V4 MHz- 65 C+ 200 C2N58
2N5954Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 90Vcbo 90Vcev 85Vcer 80Vceo 40WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle80 V90 V5 V1 V4 MHz- 65 C+ 200 C2N59
2N5955Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 70Vcbo 70Vcev 65Vcbo 70Vcev 40WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle60 V70 V5 V1 V4 MHz- 65 C+ 200 C2N59
2N5956Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 50Vcbo 50Vcev 45Vcer 5.0Vebo 40WНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle40 V50 V5 V2 V5 MHz- 65 C+ 200 C2N5956
2N5963Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 30Vcbo 30Vceo 7.0Vebo 50mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle30 V30 V7 V0.2 V150 MHz- 65 C+ 150 C2N5961
2N6049Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 4.0A 75W 90Vcbo 55Vceo 0.5AНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle55 V90 V0.5 V0.8 MHz2N60
2N6125 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 4A 40WНетSiThrough HoleTO-220-3PNPSingle60 V60 V5 V1.4 V2.5 MHz- 65 C+ 150 C2N61
2N6190Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT Small Signal TransistorНетSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle80 V80 V6 V5 A30 MHz- 65 C+ 200 C2N6190
2N6211Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 275Vcbo 225Vceo 6.0VeboНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle225 V275 V6 V1.4 V20 MHz- 65 C+ 200 C2N62
2N6212Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 350Vcbo 300Vceo 6.0Vebo 2.0A 35WНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle300 V350 V6 V1.6 V5 A20 MHz- 65 C+ 200 C2N6212
2N6213Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle350 V400 V6 V2 V5 A20 MHz- 65 C+ 200 C2N6213

Страницы