Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
2N3054ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 90Vcbo 90Vcev 60Vcer 4.0AНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle55 V90 V7 V1 V4 A3 MHz- 65 C+ 200 C2N3054
2N3055Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 100Vcbo 70Vcer 60Vceo 15A 115WНетSiThrough HoleTO-3-2NPNSingle60 V100 V7 V1.1 V15 A2.5 MHz- 65 C+ 200 C
2N3134Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 50Vcbo 35Vceo 4.0Vebo 150mA 10pFНетSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle50 V4 V0.6 V200 MHz2N3134
2N3244Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP Core Driver 40Vcbo 40Vceo 5.0VНетSiAxialTO-39-3PNPSingle- 40 V- 40 V- 5 V1 V- 1 A175 MHz- 65 C+ 200 C
2N3253Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 500mA 12pFНетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle75 V5 V1.2 V175 MHz2N3253
2N3417 APMCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 50Vcbo 50Vceo 5.0Vebo 500mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle50 V50 V5 V0.3 V- 65 C+ 150 C
2N3495Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 120Vcbo 120Vceo 4.5Vebo 100mA 0.6WНетSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle120 V120 V4.5 V0.35 V150 MHz- 65 C+ 200 C2N3495
2N3496Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 80Vcbo 80Vceo 4.0Vebo 7.0pFНетSiThrough HoleTO-18-3PNPSingle80 V4 V0.3 V200 MHz2N3496
2N3505 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 300mA 8.0pFНетSiThrough HoleTO-18-3PNPSingle60 V60 V5 V0.4 V200 MHz2N35
2N3701Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 140Vcbo 80Vceo 7.0Vebo 1.8A 500mWНетSiThrough HoleNPNSingle80 V140 V7 V0.5 V400 MHz- 65 C+ 200 C
2N3724Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT Pb Sml Signal Trans General purposeНетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle50 V6 V200 mV300 MHz2N3724
2N3725Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle50 V80 V6 V250 mV1.75 A300 MHz- 65 C+ 200 C2N3725
2N3734Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle30 V50 V5 V200 mV1.5 A250 MHz- 65 C+ 200 C2N3734
2N3735Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle50 V75 V5 V200 mV1.5 A250 MHz- 65 C+ 200 C2N3735
2N3738Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 250Vcbo 225Vceo 6.0Vebo 20WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle225 V250 V6 V2.5 V10 MHz- 65 C+ 200 C2N37
2N3739Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 325Vcbo 300Vceo 6.0Vebo 20WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle300 V325 V6 V2.5 V10 MHz- 65 C+ 200 C2N37
2N3741Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle60 V60 V7 V0.6 V10 A4 MHz- 65 C+ 200 C2N3741
2N3741ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP Pwr Trans 80V 4.0A 25WНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle60 V60 V7 V0.6 V10 A4 MHz- 65 C+ 200 C2N3741
2N3763Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT Small SignalНетSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle60 V5 V150 MHz2N3763
2N3766Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 80Vcbo 60Vceo 6.0Vebo 4.0A 25WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle60 V80 V6 V2.5 V10 MHz- 65 C+ 200 C2N37
2N3767Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 100Vcbo 80Vceo 6.0Vebo 4.0A 25WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle80 V100 V6 V2.5 V10 MHz- 65 C+ 200 C2N3767
2N3811Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 60Vcbo 60Vces 5.0Vebo 50mA 500mWНетSiThrough HoleTO-78-6PNPDual60 V60 V5 V0.25 V500 MHz- 65 C+ 200 C2N3811
2N4029Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-18PNPSingle80 V80 V5 V500 mV150 MHz- 55 C+ 200 C2N4029
2N4058Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 30Vcbo PNP Low Noise 30Vceo 625mW 200mAНетSiThrough HoleTO-92-3PNPSingle30 V30 V6 V700 mV200 mA- 65 C+ 150 C2N4058
2N4124 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 30Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 200mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle25 V30 V5 V0.3 V300 MHz- 65 C+ 150 C2N41

Страницы