Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
2N6465Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 4.0A 40W 110Vcbo 100VceoНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle100 V110 V1.2 V5 MHz2N64
2N6466Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 4.0A 40W 130Vcbo 120VceoНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle120 V130 V1.2 V5 MHz2N64
2N6467Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 4.0A 40W 110Vcbo 100VceoНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle100 V110 V1.2 V5 MHz2N64
2N6468Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 130Vcbo 130Vcex 125Vcer 120Vceo 40WНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle120 V130 V5 V1.2 V, 4 V-5 MHz- 65 C+ 200 C2N6468
2N6486 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 50Vcbo 40Vceo 5.0VeboНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle40 V50 V5 V3.5 V5 MHz- 65 C+ 150 C2N64
2N6487Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 70Vcbo 60Vceo 5.0VeboНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle60 V70 V5 V3.5 V5 MHz- 65 C+ 150 C2N64
2N6488Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 90Vcbo 80Vceo 5.0V 15A 5.0A 75WНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle80 V90 V5 V3.5 V5 MHz- 65 C+ 150 C
2N6489Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-220-3PNPSingle40 V50 V-3.5 V5 MHz- 65 C+ 150 C2N6489
2N6490Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 70Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 15A 75WНетSiThrough HoleTO-220-3PNPSingle60 V70 V5 V3.5 V5 MHz- 65 C+ 150 C2N64
2N6515Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle250 V250 V6 V1 V200 MHz- 65 C+ 150 C2N6515
2N6551Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 120Vcbo 60Vceo 6.0VeboНетSiThrough HoleTO-202-3NPNSingle60 V60 V5 V1 V2 A375 MHz- 65 C+ 150 C2N6551
2N657ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT Small Signal Transistor Gen PurpНетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle100 V6 V50 MHz2N657
2N6609Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 160Vcbo 140Vceo 160Vceb 7.0Vebo 16AНетSiThrough HoleTO-3-2PNP140 V160 V7 V1.4 V4 MHz- 65 C+ 200 C2N6609
2N696Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 60Vcbo 40Vcer 5.0Vebo 2.0W 35pFНетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle60 V5 V1.5 V40 MHz- 65 C+ 200 C2N696
2N698Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 120Vcbo 60Vceo 7.0Vebo 15pFНетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle60 V120 V7 V1.5 V50 MHz2N69
2N834ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 40Vcbo 30Vces 5.0Vebo 200mA 300mWНетSiThrough HoleTO-18-3NPNSingle40 V5 V0.4 V500 MHz- 65 C+ 200 C2N834A
2N915Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN RF/IF OSC 70Vcbo 50BVceo 7.0Vebo 25pFНетSiThrough HoleTO-18NPNSingle50 V70 V5 V250 MHz
2N929ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 60Vcbo 60Vceo 30mA 500mW 1.8WНетSiThrough HoleTO-18-3NPNSingle60 V60 V6 V0.5 V45 MHz- 65 C+ 175 C2N929A
2N956Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 75Vcbo 50Vceo 7.0Vebo 10mA 25pFНетSiThrough HoleTO-18-3NPNSingle75 V7 V1.5 V70 MHz2N956
2SC1815Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 60Vcbo 50Vceo 5.0V 150mA 400mA 400mWНетSiThrough HoleTO-92-3NPN50 V60 V5 V0.25 V80 MHz- 55 C+ 125 C2SC1815
40250Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 50Vcbo 50Vcev 40Vceo 5.0Vebo 29WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle40 V50 V5 V1.5 V- 65 C+ 200 C40250
40312Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 4.0A 29W 60Vcbo 60VceoНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle60 V60 V1 V0.75 MHz40312
BC107Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 50Vcbo 45Vceo 6.0Vebo 200mA 600PdНетSiThrough HoleTO-18NPNSingle45 V50 V6 V0.6 V150 MHz- 65 C+ 200 CBC107
BC107ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 50Vcbo 45Vceo 6.0Vebo 200mA 600PdНетSiThrough HoleTO-18NPNSingle45 V50 V6 V0.6 V150 MHz- 65 C+ 200 CBC107
BC107BCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 50Vcbo 45Vceo 6.0Vebo 200mAНетSiThrough HoleTO-18NPNSingle45 V50 V6 V0.6 V200 mA150 MHz- 65 C+ 200 CBC107

Страницы