Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FF225R17ME4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 225AДаTray
FF225R17ME4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 225A 1700VНетTray
FF300R06KE3_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 300AДаTray
FF300R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUALНетDual1200 V1.7 V300 A400 nA1450 WIS5a ( 62 mm )-7- 40 C+ 125 CTray
FF300R12KE4_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300AДаTray
FF300R12KE4_EInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF300R12KT3_EInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300AДаTray
FF300R12ME4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1200VНетTray
FF300R17KE3_S4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1700VНетTray
FF300R17ME4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 300AДаTray
FF300R17ME4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1700VНетTray
FF400R12KT3_EInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 400AДаTray
FF450R12KE4_EInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF450R12ME4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF450R12ME4P_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF450R12ME4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 1200VНетTray
FF450R17IE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 450AДаTray
FF450R17ME4P_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF450R17ME4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 1700VНетTray
FF600R12IE4VInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF600R12IP4VInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF600R12ME4A_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF600R12ME4CPInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF600R12ME4CP_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF600R12ME4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray

Страницы