Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FD250R65KE3-K | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 250A 6500V | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
FD300R07PE4_B6 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650V | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
FD300R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A CHOPPER | ![]() | Да | Single | 1200 V | 1.7 V | 300 A | 400 nA | 1470 W | IS5a ( 62 mm )-5 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||
FD300R12KS4_B5 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300A | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
FD400R07PE4R_B6 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
FD400R12KE3_B5 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
FD400R33KF2C | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 400A CHOPPER | ![]() | Да | Single | 330 V | 3.4 V | 400 A | 400 nA | 4.8 kW | IHM 130X140-7 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||
FD500R65KE3-K | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
FD600R06ME3_S2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 600V | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
FD650R17IE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 650A | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
FD800R17HP4-K_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 800A 1700V | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
FD900R12IP4D | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900A | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
FD900R12IP4DV | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
FF1000R17IE4DP_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
FF1000R17IE4D_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1000A | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
FF1000R17IE4P | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
FF1200R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 1200A IGBT Module | ![]() | Да | Dual | 1200 V | 1.7 V | 1200 A | 400 nA | 5 kW | IHM 130X140-10 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||
FF1200R17KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 1200A DUAL | ![]() | Да | Dual | 1700 V | 2 V | 1600 A | 400 nA | 5.95 kW | IHM130-10 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||
FF1200R17KP4_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1200A | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
FF1400R17IP4P | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
FF150R12KE3_B8 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150A | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
FF200R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL | ![]() | Да | Dual | 1200 V | 1.7 V | 200 A | 400 nA | 1.05 kW | IS5a ( 62 mm )-7 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||
FF200R12KT3_E | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200A | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
FF200R17KE3_S4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200A | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
FF200R33KF2C | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 200A DUAL | ![]() | Да | Dual | 3300 V | 3.4 V | 330 A | 400 nA | 2.2 kW | IHM 73X140-8 | - 40 C | + 125 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »