Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
F3L200R07PE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 650V | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
F3L200R12W2H3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
F3L300R12ME4_B22 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1200V | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
F3L300R12ME4_B23 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1200V | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
F3L300R12MT4_B22 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
F3L300R12MT4_B23 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
F3L300R12PT4_B26 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
F3L400R07ME4_B22 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 400A 650V | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
F3L400R07ME4_B23 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 400A 650V | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
F3L400R12PT4_B26 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
F3L75R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 650V 75A | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
F4-50R12KS4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 1200V | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
F4-75R12KS4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 1200V | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
F5-75R06KE3_B5 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
FB20R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
FD1000R17IE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1000A | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
FD1000R17IE4D_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
FD1000R33HE3-K | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 3300V 1000A | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
FD1000R33HL3-K | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
FD1200R17HP4-K_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1200A 1700V | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
FD1400R12IP4D | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1400A | ![]() | Да | Tray | ||||||||||||
FD150R12RT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150A | ![]() | Нет | 1200 V | 2.15 V | 150 A | 100 nA | 790 W | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FD1600/1200R17HP4_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1600A 1700V | ![]() | Нет | Tray | ||||||||||||
FD200R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A CHOPPER | ![]() | Да | Single | 1200 V | 1.7 V | 200 A | 400 nA | 1.04 kW | IS5a ( 62 mm )-5 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||
FD200R12PT4_B6 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »