Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
RN4991FE,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN + PNP BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1AНетSiSMD/SMTES-6NPN, PNPDual- 50 V, 50 V- 50 V, 50 V- 5 V, 5 V- 0.1 V, 0.1 V- 100 mA, 100 mA200 MHz, 250 MHz- 55 C+ 150 C
TBC847B,LMToshibaБиполярные транзисторы - BJT BJT NPN 0.15A 50VНетSiSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle50 V60 V6 V170 mV150 mA100 MHz+ 150 CTBC8X7
TBC857B,LMToshibaБиполярные транзисторы - BJT BJT PNP -0.15A -50VНетSiSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 50 V- 50 V- 5 V- 220 mV- 150 mA80 MHz+ 150 CTBC8X7
TMBT3904,LMToshibaБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq. AmplificationНетSiSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle50 V60 V5 V300 mV150 mA300 MHz- 55 C+ 150 CTMBT3904
TMBT3906,LMToshibaБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq. AmplificationНетSiSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 50 V- 50 V- 5 V- 400 mV- 150 mA250 MHz- 55 C+ 150 CTMBT3906
TTA004B,QToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP -2.5A 1.5W 280 HFE -0.5V TransНетSiThrough HoleTO-126N-3PNPSingle- 160 V- 160 V- 6 V- 500 mV- 1.5 A100 MHz- 55 C+ 150 CTTA004B
TTA1713-GR,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP Transistor, VCEO=-45V, IC=-0.5A, hFE=180 to 390 in SOT-346 (S-Mini) packageНетSiSMD/SMTSMD-3PNPSingle- 45 V- 50 V- 5 V- 0.4 V- 500 mA80 MHz- 55 C+ 150 C
TTA1713-Y,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP Transistor, VCEO=-45V, IC=-0.5A, hFE=120 to 270 in SOT-346 (S-Mini) packageНетSiSMD/SMTSMD-3PNPSingle- 45 V- 50 V- 5 V- 0.4 V- 500 mA80 MHz- 55 C+ 150 C
TTA1943(Q)ToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP 150W -15A 80 HFE -3V -230VНетSiThrough Hole2-21F1A-3PNPSingle- 230 V- 230 V- 5 V- 3 V- 15 A30 MHz- 55 C+ 150 CTTA1943
TTC004B,QToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN 2.5A 1.5W 280 HFE 0.5V TransНетSiThrough HoleTO-126N-3NPNSingle160 V160 V6 V0.5 V1.5 A100 MHz- 55 C+ 150 CTTC004B
TTC008(Q)ToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN PWR Amp Trans 1.5A IC 3A 1.1WНетSiThrough HoleTO-251-3NPNSingle285 V600 V7 V600 V1.5 A+ 150 CTTC008
TTC012(Q)ToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN PWR Amp Trans 2A IC 3A ICP 800VНетSiThrough HoleNPNSingle375 V800 V8 V500 mV2 A+ 150 CTTC012
2PA1774QMB,315NexperiaБиполярные транзисторы - BJT 40V 100mA PNP General Purpose TranНетSiSMD/SMTDFN-1006B-3PNPSingle- 40 V- 40 V- 5 V- 200 mV- 200 mA100 MHz- 55 C+ 150 C
2PD601ARL,235NexperiaБиполярные транзисторы - BJT Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-PinНетSiSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle50 V60 V6 V250 mV100 mA100 MHz- 55 C+ 150 C
BC51-10PASXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 1A PNP Medium Power TransistorsНетSiSMD/SMTDFN-2020D-3PNPSingle- 45 V- 45 V- 5 V- 500 mV- 2 A145 MHz- 55 C+ 150 C
BC51-16PASXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 1A PNP Medium Power TransistorsНетSiSMD/SMTDFN-2020D-3PNPSingle- 45 V- 45 V- 5 V- 500 mV- 2 A145 MHz- 55 C+ 150 C
BC51PASXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 1A PNP Medium Power TransistorsНетSiSMD/SMTDFN-2020D-3PNPSingle- 45 V- 45 V- 5 V- 500 mV- 2 A145 MHz- 55 C+ 150 C
BC52-10PASXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 1A PNP Medium Power TransistorsНетSiSMD/SMTDFN-2020D-3PNPSingle- 60 V- 60 V- 5 V- 500 mV- 2 A145 MHz- 55 C+ 150 C
BC52-16PASXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 1A PNP Medium Power TransistorsНетSiSMD/SMTDFN-2020D-3PNPSingle- 60 V- 60 V- 5 V- 500 mV- 2 A145 MHz- 55 C+ 150 C
BC52PASXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 1A PNP Medium Power TransistorsНетSiSMD/SMTDFN-2020D-3PNPSingle- 60 V- 60 V- 5 V- 500 mV- 2 A145 MHz- 55 C+ 150 C
BC53-10PASXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 1A PNP Medium Power TransistorsНетSiSMD/SMTDFN-2020D-3PNPSingle- 80 V- 100 V- 5 V- 500 mV- 2 A145 MHz- 55 C+ 150 C
BC53-16PASXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 1A PNP Medium Power TransistorsНетSiSMD/SMTDFN-2020D-3PNPSingle- 80 V- 100 V- 5 V- 500 mV- 2 A145 MHz- 55 C+ 150 C
BC53PASXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 1A PNP Medium Power TransistorsНетSiSMD/SMTDFN-2020D-3PNPSingle- 80 V- 100 V- 5 V- 500 mV- 2 A145 MHz- 55 C+ 150 C
BC54-10PASXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 45V/60V/80V 1A NPN medium power transНетSiSMD/SMTDFN-2020D-3NPNSingle45 V45 V5 V500 mV1 A180 MHz- 55 C+ 150 C
BC54-16PASXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 45V/60V/80V 1A NPN medium power transНетSiSMD/SMTDFN-2020D-3NPNSingle45 V45 V5 V500 mV1 A180 MHz- 55 C+ 150 C

Страницы