Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
RN2701,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1AНетSiSMD/SMTUSV-5PNPDual- 50 V- 50 V- 10 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2702,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR PNP x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1AНетSiSMD/SMTUSV-5PNPDual- 50 V- 50 V- 10 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2703,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1AНетSiSMD/SMTUSV-5PNPDual- 50 V- 50 V- 10 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2704,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1AНетSiSMD/SMTUSV-6PNPDual- 50 V- 50 V- 10 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2705,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1AНетSiSMD/SMTUSV-5PNPDual- 50 V- 50 V- 5 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2706,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1AНетSiSMD/SMTUSV-5PNPDual- 50 V- 50 V- 5 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2707,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1AНетSiSMD/SMTUSV-5PNPDual- 50 V- 50 V- 6 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2708,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1AНетSiSMD/SMTUSV-5PNPDual- 50 V- 50 V- 7 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2709,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1AНетSiSMD/SMTUSV-5PNPDual- 50 V- 50 V- 15 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2710,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1AНетSiSMD/SMTUSV-5PNPDual- 50 V- 50 V- 5 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2714,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=1kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=1kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1AНетSiSMD/SMTUSV-5PNPSingle- 50 V- 50 V- 5 V- 0.1 V- 100 mA- 55 C+ 150 C
RN2901,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1AНетSiSMD/SMTUS-6PNPDual- 50 V- 50 V- 10 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2906FE,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1AНетSiSMD/SMTES-6PNPDual- 50 V- 50 V- 5 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2907,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1AНетSiSMD/SMTUS-6PNPDual- 50 V- 50 V- 6 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2908,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1AНетSiSMD/SMTUS-6PNPDual- 50 V- 50 V- 7 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2909,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1AНетSiSMD/SMTUS-6PNPDual- 50 V- 50 V- 15 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2910,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1AНетSiSMD/SMTUS-6PNPDual- 50 V- 50 V- 5 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN4901FE,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP + NPN BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1AНетSiSMD/SMTES-6PNPDual- 50 V, 50 V- 50 V, 50 V- 10 V, 10 V- 0.1 V, 0.1 V- 100 mA, 100 mA200 MHz, 250 MHz- 55 C+ 150 C
RN4903,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP + NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1AНетSiSMD/SMTUS-6NPN, PNPDual- 50 V, 50 V- 50 V, 50 V- 10 V, 10 V- 0.1 V, 0.1 V- 100 mA, 100 mA200 MHz, 250 MHz- 55 C+ 150 C
RN4908,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP + NPN BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1AНетSiSMD/SMTUS-6NPN, PNPDual- 50 V, 50 V- 50 V, 50 V- 7 V, 7 V- 0.1 V, 0.1 V- 100 mA, 100 mA200 MHz, 250 MHz- 55 C+ 150 C
RN4909,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP + NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1AНетSiSMD/SMTSMD-6NPN, PNPDual- 50 V, 50 V- 50 V, 50 V- 15 V, 15 V- 0.1 V, 0.1 V- 100 mA, 100 mA200 MHz, 250 MHz- 55 C+ 150 C
RN4911,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP + NPN BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1AНетSiSMD/SMTES-6NPN, PNPDual- 50 V, 50 V- 50 V, 50 V- 5 V, 5 V- 0.1 V, 0.1 V- 100 mA, 100 mA200 MHz, 250 MHz- 55 C+ 150 C
RN4985FE,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN + PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1AНетSiSMD/SMTES-6NPN, PNPDual- 50 V, 50 V- 50 V, 50 V- 5 V, 5 V- 0.1 V, 0.1 V- 100 mA, 100 mA200 MHz, 250 MHz- 55 C+ 150 C
RN4988FE,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN + PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1AНетSiSMD/SMTES-6NPN, PNPDual- 50 V, 50 V- 50 V, 50 V- 7 V, 7 V100 mA200 MHz, 250 MHz- 55 C+ 150 C
RN4989FE,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN + PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1AНетSiSMD/SMTES-6NPN, PNPDual- 50 V, 50 V- 50 V, 50 V- 15 V, 15 V- 0.1 V, 0.1 V- 100 mA, 100 mA200 MHz, 250 MHz- 55 C+ 150 C

Страницы