Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
RN1710,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1AНетSiSMD/SMTUSV-6NPNDual50 V50 V5 V0.1 V100 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
RN1711JE(TE85L,F)ToshibaБиполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR NPN x2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1AНетSiSMD/SMTESV-5NPNDual50 V50 V5 V0.1 V100 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
RN1711,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1AНетSiSMD/SMTUSV-5NPNDual50 V50 V5 V0.1 V100 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
RN1901,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1НетSiSMD/SMTSOT-363-6NPNSingle50 V50 V10 V100 mV100 mA250 MHz- 55 C+ 150 CRN1901
RN1902FE,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1AНетSiSMD/SMTES-6NPNDual50 V50 V10 V0.1 V100 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
RN1903FE,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1AНетSiSMD/SMTES-6NPNDual50 V50 V10 V0.1 V100 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
RN1904FE,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1AНетSiSMD/SMTES-6NPNDual50 V50 V10 V0.1 V100 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
RN1906FE,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1НетSiSMD/SMTSOT-563-6NPNSingle50 V50 V5 V100 mV100 mA250 MHz- 55 C+ 150 CRN1906
RN1908,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1AНетSiSMD/SMTUS-6NPNDual50 V50 V7 V0.1 V100 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
RN1909,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1AНетSiSMD/SMTUS-6NPNDual50 V50 V15 V0.1 V100 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
RN1911,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1AНетSiSMD/SMTUS-6NPNDual50 V50 V5 V0.1 V100 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
RN2103,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) packageНетSiSMD/SMTSSM-3PNPDual- 50 V- 50 V- 10 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2104,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) packageНетSiSMD/SMTSSM-3PNPDual- 50 V- 50 V- 10 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2105,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) packageНетSiSMD/SMTSSM-3PNPSingle- 50 V- 50 V- 5 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2106,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) packageНетSiSMD/SMTSSM-3PNPSingle- 50 V- 50 V- 5 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2108,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) packageНетSiSMD/SMTSMD-3PNPDual- 50 V- 50 V- 7 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2109,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) packageНетSiSMD/SMTSMD-3PNPSingle- 50 V- 50 V- 15 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2113,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=InfinitykOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) packageНетSiSMD/SMTSSM-3PNPSingle- 50 V- 50 V- 5 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2303,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-323 (USM) packageНетSiSMD/SMTUSM-3PNPSingle- 50 V- 50 V- 10 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2406,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) packageНетSiSMD/SMTSC-59-3PNPDual- 50 V- 50 V- 5 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2411,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=InfinitykOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) packageНетSiSMD/SMTSC-59-3PNPSingle- 50 V- 50 V- 5 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2416,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) packageНетSiSMD/SMTSC-59-3PNPDual- 50 V- 50 V- 7 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2418,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) packageНетSiSMD/SMTSC-59-3PNPSingle- 50 V- 50 V- 25 V- 0.1 V- 100 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2425(TE85L,F)ToshibaБиполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR PNP BRT, Q1BSR=0.47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.8A, inSOT-346 (S-Mini) packageНетSiSMD/SMTSC-59-3PNPSingle- 50 V- 50 V- 5 V- 0.25 V- 800 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
RN2426(TE85L,F)ToshibaБиполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR PNP BRT, Q1BSR=1kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.8A, inSOT-346 (S-Mini) packageНетSiSMD/SMTSC-59-3PNPSingle- 50 V- 50 V- 5 V- 0.25 V- 800 mA200 MHz- 55 C+ 150 C

Страницы