Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
HN1B01FU-GR,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal AmpНетSiSMD/SMTSOT-363-6NPN, PNPDual50 V60 V, - 50 V5 V100 mV150 mA150 MHz, 120 MHz+ 125 CHN1B01
HN1B04FE-GR,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal AmpНетSiSMD/SMTSOT-563-6NPN, PNPDual50 V60 V, - 50 V5 V100 mV150 mA80 MHz, 80 MHz+ 150 CHN1B04
HN1B04FE-Y,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal AmpНетSiSMD/SMTSOT-563-6NPN, PNPDual50 V60 V, - 50 V5 V100 mV150 mA80 MHz, 80 MHz+ 150 CHN1B04
HN1B04FU-Y,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT LF Transistor +/-.15A +/-50VНетSiSMD/SMTSOT-363-6NPN, PNPDual50 V60 V, - 50 V5 V0.1 V150 mA150 MHz, 120 MHz+ 125 CHN1B04FU
HN1B04FU-GR,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal AmpНетSiSMD/SMTSOT-363-6NPN, PNPDual50 V60 V, - 50 V5 V100 mV150 mA150 MHz, 120 MHz+ 125 CHN1B04
HN1C01FU-Y,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=50V, IC=0.15A, hFE=120 to 400 in SOT-26 (SM6) packageНетSiSMD/SMTUS-6NPNDual50 V60 V5 V0.1 V150 mA80 MHz- 55 C+ 125 C
HN1C01FU-GR,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal AmpНетSiSMD/SMTSOT-363-6NPNDual50 V60 V5 V100 mV150 mA80 MHz+ 125 CHN1C01
HN1C03FU-A(TE85L,FToshibaБиполярные транзисторы - BJT US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHzДаSiSMD/SMTSMT-6NPNSingle20 V50 V20 V0.042 V300 mA30 MHz- 55 C+ 150 C
HN2C01FU-Y(TE85L,FToshibaБиполярные транзисторы - BJT US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=80MHzДаSiSMD/SMTSMT-6NPNDual50 V60 V5 V0.1 V150 mA80 MHz- 55 C+ 125 C
RN1104MFV,L3F(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-723 (VESM) packageНетSiSMD/SMTVESM-3NPNSingle50 V50 V10 V0.1 V100 mA- 55 C+ 150 C
RN1108MFV,L3FToshibaБиполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-723 (VESM) packageНетSiSMD/SMTVESM-3NPNSingle50 V50 V7 V0.1 V100 mA- 55 C+ 150 C
RN1116,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR NPN BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-416 (SSM) packageНетSiSMD/SMTSSM-3NPNSingle50 V50 V7 V0.1 V100 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
RN1303,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-323 (USM) packageНетSiSMD/SMTUSM-3NPNSingle50 V50 V10 V0.1 V100 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
RN1415,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) packageНетSiSMD/SMTSC-59-3NPNSingle50 V50 V6 V0.1 V100 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
RN1417,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) packageНетSiSMD/SMTSC-59-3NPNSingle50 V50 V15 V0.1 V100 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
RN1418,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) packageНетSiSMD/SMTSC-59-3NPNSingle50 V50 V25 V0.1 V100 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
RN1701,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1AНетSiSMD/SMTUSV-5NPNDual50 V50 V10 V0.1 V100 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
RN1702,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1AНетSiSMD/SMTUSV-5NPNDual50 V50 V10 V0.1 V100 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
RN1703,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1AНетSiSMD/SMTUSV-5NPNDual50 V50 V10 V0.1 V100 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
RN1704,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1AНетSiSMD/SMTUSV-5NPNDual50 V50 V10 V0.1 V100 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
RN1705,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1AНетSiSMD/SMTUSV-5NPNDual50 V50 V5 V0.1 V100 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
RN1706,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1AНетSiSMD/SMTUSV-5NPNDual50 V50 V5 V0.1 V100 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
RN1707,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1AНетSiSMD/SMTUSV-5NPNDual50 V50 V6 V0.1 V100 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
RN1708,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1AНетSiSMD/SMTUSV-5NPNDual50 V50 V7 V0.1 V100 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
RN1709,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1AНетSiSMD/SMTUSV-5NPNDual50 V50 V15 V0.1 V100 mA250 MHz- 55 C+ 150 C

Страницы