Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
2SB1124T-TD-HON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 3A 50VНетThrough HoleSC-62-3PNP50 V- 6 V2SB1124
2SB1201S-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 2A 50VНетThrough HoleTO-251-3NPN, PNPSingle50 V60 V6 V150 mV, - 300 mV4 A, - 4 A150 MHz+ 150 C2SB1201
2SB1201S-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 2A 50VНетSMD/SMTTO-252-3PNPSingle- 50 V- 60 V- 6 V- 0.3 V- 4 A150 MHz- 55 C+ 150 C2SB1201
2SB1201T-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 2A 50VНетSMD/SMTTO-252-3PNP50 V- 6 V2SB1201
2SB1202S-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 3A 50VНетThrough HoleTO-251-3PNP50 V- 6 V2SB1202
2SB1202S-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT HIGH-CURRENT SWITCHINGНетSMD/SMTPNPSingle50 V6 V3 A150 MHz+ 150 C2SB1202
2SB1202T-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 3A 50VНетThrough HoleTO-251-3PNP50 V- 6 V2SB1202
2SB1202T-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT LOW-SATURATION VOLTAGEНетSMD/SMTPNPSingle50 V6 V3 A150 MHz+ 150 C2SB1202
2SB1203S-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 5A 50VНетThrough HoleTO-251-3PNP50 V- 6 V2SB1203
2SB1203S-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 5A 50VНетSMD/SMTTO-252-3PNPSingle- 50 V- 60 V- 6 V- 0.28 V- 8 A130 MHz- 55 C+ 150 C2SB1203
2SB1203T-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 5A 50VНетThrough HoleTO-252-3PNP50 V- 6 V2SB1203
2SB1203T-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 5A 50VНетThrough HoleTO-252-3PNP50 V- 6 V2SB1203
2SB1204S-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 8A 50VНетThrough HoleTO-251-3PNP50 V- 6 V2SB1204
2SB1204S-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT LOW-SATURATION VOLTAGEНетSMD/SMTPNPSingle50 V6 V8 A130 MHz+ 150 C2SB1204
2SB1204T-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 8A 50VНетThrough HoleTO-251-3PNP50 V- 6 V2SB1204
2SB1204T-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 8A 50VНетThrough HoleTO-252-3PNP50 V- 6 V2SB1204
2SB1205S-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 5A 20VНетThrough HolePNP20 V- 5 V2SB1205
2SB1205S-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 5A 20VНетSMD/SMTPNPSingle- 20 V- 25 V- 5 V- 250 mV- 8 A320 MHz- 55 C+ 150 C2SB1205
2SB1205T-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 5A 20VНетThrough HoleTO-251-3PNPSingle- 20 V- 25 V- 5 V- 250 mV- 8 A320 MHz- 55 C+ 150 C2SB1205
2SB1205T-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 5A 20VНетSMD/SMTTO-252-3PNPSingle- 20 V- 25 V- 5 V- 0.25 V- 8 A320 MHz- 55 C+ 150 C2SB1205
2SB1215S-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 3A 100VНетThrough HoleTO-251-3PNP100 V- 6 V2SB1215
2SB1215S-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 3A 100VНетSMD/SMTTO-252-3PNPSingle- 100 V- 120 V- 6 V- 0.2 V- 6 A130 MHz- 55 C+ 150 C2SB1215
2SB1215T-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 3A 100VНетThrough HoleTO-251-3PNP100 V- 6 V2SB1215
2SB1215T-HON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 3A 100VНетThrough HoleTO-251-3PNP100 V- 6 V2SB1215
2SB1216S-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 4A 100VНетThrough HoleTO-251-3PNP100 V- 6 V2SB1216

Страницы