Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
2SC5707-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 8A 50VНетSMD/SMTTO-252-2NPNSingle50 V6 V330 MHz+ 150 C2SC5707
2SC5964-S-TD-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 3A 50VНет2SC5964
2SC5964-TD-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT HIGH-CURRENT SWITCHINGНетSMD/SMTPCP-3NPN, PNPSingle- 50 V, 50 V- 50 V, 100 V- 6 V, 6 V- 125 mV, 100 mV390 MHz, 380 MHz- 55 C+ 150 C2SC5964
2SC5964-TD-HON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 3A 50VНетSMD/SMTSOT-89-3NPN, PNP50 V6 V2SC5964
2SC5994-TD-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 2A 50VНетSMD/SMTPCP-3NPNSingle50 V100 V6 V135 mV420 MHz- 55 C+ 150 C2SC5994
2SC6017-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 10A 50VНетThrough HoleTO-251-3NPNSingle50 V100 V6 V180 mV10 A200 MHz- 55 C+ 150 C2SC6017
2SC6017-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 10A 50VНетSMD/SMTTO-252-3NPNSingle50 V100 V6 V180 mV10 A200 MHz- 55 C+ 150 C2SC6017
2SC6082-1EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 15A 50VНетThrough HoleTO-220FP-3NPNSingle50 V60 V6 V200 mV20 A195 MHz2SC6082
2SC6094-TD-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT HIGH-CURRENT SWITCHINGНетSMD/SMTPCP-3NPNSingle60 V100 V6.5 V90 mV5 A390 MHz- 55 C+ 150 C2SC6094
2SC6095-TD-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 2.5A 80VНетSMD/SMTNPNSingle80 V120 V6.5 V0.1 V4 A350 MHz- 55 C+ 150 C2SC6095
2SC6096-TD-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 2A 100VНетSMD/SMTPCP-3NPNSingle100 V120 V6.5 V100 mV3 A300 MHz- 55 C+ 150 C2SC6096
2SC6097-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT HIGH-CURRENT SWITCHINGНетThrough HoleTO-251-3NPNSingle60 V100 V6.5 V100 mV3 A390 MHz+ 150 C2SC6097
2SC6097-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT HIGH-CURRENT SWITCHINGНетSMD/SMTTO-252-3NPNSingle60 V100 V6.5 V0.1 V5 A390 MHz- 55 C+ 150 C2SC6097
2SC6099-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 2A 100VНетSMD/SMTTO-252-3NPN100 V6.5 V2SC6099
2SD1048-6-TB-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 0.7A 15VНетSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle15 V20 V5 V10 mV700 mA250 MHz- 55 C+ 125 C2SD1048
2SD1048-7-TB-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 0.7A 15VНетSMD/SMTCP-3NPNSingle15 V20 V5 V30 mV1.5 A250 MHz- 55 C+ 125 C2SD1048
2SD1060R-1EXON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 5A 50VНетNPN2SD1060R-1EX
2SD1060S-1EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 5A 50VНетThrough HoleTO-220AB-3NPNSingle50 V60 V6 V300 mV5 A30 MHz+ 150 C2SD1060
2SD1620-TD-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 3A 10VНетNPN2SD1620
2SD1623S-TD-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 2A 50VНетSMD/SMTPCP-3NPNSingle50 V60 V6 V0.15 V4 A150 MHz- 55 C+ 150 C2SD1623
2SD1623T-TD-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 2A 50VНетSMD/SMTPCP-3NPNSingle50 V60 V6 V0.15 V4 A150 MHz+ 150 C2SD1623
2SD1624S-TD-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 3A 50VНетSMD/SMTSOT-89-3NPN50 V6 V2SD1624
2SD1624S-TD-HON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 3A 50VНетSMD/SMTSOT-89-3NPN50 V6 V2SD1624
2SD1624T-TD-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT HIGH-CURRENT SWITCHINGНетSMD/SMTPCP-3NPNSingle50 V60 V6 V0.35 V3 A150 MHz- 55 C+ 150 C2SD1624
2SD1624T-TD-HON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 3A 50VНетThrough HoleSOT-89-3NPN50 V6 V2SD1624

Страницы