Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
2SD1628F-TD-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 5A 20VНетSMD/SMTNPN20 V6 V2SD1628
2SD1628F-TD-HON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 5A 20VНетSMD/SMTTO-243-3NPNSingle20 V60 V6 V500 mV5 A120 MHz+ 150 C2SD1628
2SD1628G-TD-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 5A 20VНетSMD/SMTPCP-3NPNSingle20 V60 V6 V500 mV8 A120 MHz- 55 C+ 150 C2SD1628
2SD1628G-TD-HON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 5A 20VНетSMD/SMTSOT-89-3NPNSingle20 V60 V6 V500 mV120 MHz- 55 C+ 150 C2SD1628
2SD1801S-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 2A 50VНетThrough HoleTO-251-3NPN50 V6 V2SD1801
2SD1801S-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 2A 50VНетSMD/SMTTO-252-3NPNSingle50 V60 V6 V0.15 V4 A150 MHz- 55 C+ 150 C2SD1801
2SD1802S-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 3A 50VНетThrough HoleTO-251-3NPN50 V6 V2SD1802
2SD1802S-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT HIGH-CURRENT SWITCHINGНетSMD/SMTTO-252-3NPN, PNPSingle50 V60 V6 V190 uV, - 350 uV6 A, - 6 A150 MHz+ 150 C2SD1802
2SD1802T-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 3A 50VНетThrough HoleTO-251-3NPN50 V6 V2SD1802
2SD1802T-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT HIGH-CURRENT SWITCHINGНетSMD/SMTTO-252-3NPNSingle50 V60 V6 V0.19 mV6 A150 MHz+ 150 C2SD1802
2SD1803S-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT LOW-SATURATION VOLTAGEНетThrough HoleTO-251-3NPN, PNPSingle50 V60 V6 V220 mV, - 280 mV8 A, - 8 A180 MHz, 130 MHz+ 150 C2SD1803
2SD1803S-HON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 5A 50VНетThrough HoleTO-251-3NPN, PNPSingle50 V60 V6 V220 mV, - 280 mV8 A, - 8 A180 MHz, 130 MHz+ 150 C2SD1803
2SD1803S-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 5A 50VНетThrough HoleTO-252-3NPN50 V6 V2SD1803
2SD1803T-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 5A 50VНетThrough HoleTO-251-3NPN50 V6 V2SD1803
2SD1803T-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 5A 50VНетThrough HoleTO-252-3NPN50 V6 V2SD1803
2SD1803T-TL-HON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 5A 50VНетThrough HoleTO-252-3NPN50 V6 V2SD1803
2SD1805F-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 5A 20VНетSMD/SMTTO-252-3NPNSingle20 V60 V6 V0.22 V8 A120 MHz- 55 C+ 150 C2SD1805
2SD1805G-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 5A 20VНетThrough HoleTO-251-3NPN20 V6 V2SD1805
2SD1805G-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 5A 20VНетSMD/SMTNPNSingle20 V60 V6 V1.5 V120 MHz- 55 C+ 150 C2SD1805
2SD1815S-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 3A 100VНетThrough HoleTO-251-3NPNSingle100 V120 V6 V150 mV3 A180 MHz+ 150 C2SD1815
2SD1815S-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 3A 100VНетSMD/SMTNPNSingle100 V120 V6 V150 mV6 A180 MHz- 55 C+ 150 C2SD1815
2SD1815T-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 3A 100VНетNPN2SD1815
2SD1816S-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 4A 100VНетNPNSingle100 V6 V4 A130 MHz- 55 C+ 150 C2SD1816
2SD1816S-HON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 4A 100VНетThrough HoleTO-251-3NPN100 V6 V2SD1816
2SD1816S-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIERНетNPNSingle100 V6 V4 A130 MHz- 55 C+ 150 C2SD1816

Страницы