Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
2SA1417S-TD-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 2A 100VНетSMD/SMTSC-62-3PNPSingle- 100 V- 120 V- 6 V- 0.22 V- 3 A120 MHz- 55 C+ 150 C2SA1417
2SA1417T-TD-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 2A 100VНетSMD/SMTPCP-3PNPSingle- 100 V- 120 V- 6 V- 0.22 V- 3 A120 MHz- 55 C+ 150 C2SA1417
2SA1418S-TD-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 0.7A 160VНетSMD/SMTPNPSingle160 V180 V6 V- 0.2 V, 0.12 V120 MHz- 55 C+ 150 C2SA1418
2SA1418T-TD-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 0.7A 160VНетSMD/SMTSOT-89-3PNPSingle- 160 V- 180 V- 6 V0.12 V- 700 mA120 MHz+ 150 C2SA1418
2SA1419S-TD-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 1.5A 160VНетSMD/SMTSOT-89-3PNPSingle- 160 V- 180 V- 6 V- 200 mV- 2.5 A120 MHz- 55 C+ 150 C2SA1419
2SA1419T-TD-HON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 1.5A 160VНетSMD/SMTPNPSingle- 160 V- 180 V- 6 V- 200 mV- 1.5 A120 MHz+ 150 C2SA1419
2SA1552S-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 1.5A 160VНетThrough HoleTP-3PNPSingle- 160 V- 180 V- 6 V- 0.2 V- 2.5 A120 MHz- 55 C+ 150 C2SA1552
2SA1552S-HON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 1.5A 160VНетThrough HoleTO-251-3PNP160 V6 V2SA1552
2SA1552S-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 1.5A 160VНетThrough HoleTO-252-3PNP160 V6 V2SA1552
2SA1552S-TL-HON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 1.5A 160VНетSMD/SMTTO-252-3PNPSingle- 160 V- 180 V- 6 V- 200 mV- 1.5 A120 MHz+ 150 C2SA1552
2SA1552T-HON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 1.5A 160VНетThrough HoleTO-251-3PNP160 V6 V2SA1552
2SA1552T-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 1.5A 160VНетThrough HoleTO-252-3PNP160 V6 V2SA1552
2SA1552T-TL-HON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 1.5A 160VНетThrough HoleTO-252-3PNP160 V6 V2SA1552
2SA1593S-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 2A 100VНетThrough HoleTO-251-3PNP100 V6 V2SA1593
2SA1593S-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 2A 100VНетPNP2SA1593
2SA1593T-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 2A 100VНетThrough HoleTO-251-3PNP100 V6 V2SA1593
2SA1593T-TL-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 2A 100VНетThrough HoleTO-252-3PNP100 V6 V2SA1593
2SA1774GON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 100mA 60V PNPНетSMD/SMTSC-75-3PNPSingle- 50 V- 60 V6 V- 0.5 V0.1 A140 MHz- 55 C+ 150 C2SA1774
2SA1774T1GON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 100mA 60V PNPНетSMD/SMTSC-75-3PNPSingle- 50 V- 60 V6 V- 0.5 V0.1 A140 MHz- 55 C+ 150 C2SA1774
2SA2012-TD-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 5A 30VНетSMD/SMTSOT-89-3PNPSingle- 30 V- 30 V- 5 V- 140 mV- 5 A350 MHz+ 150 C2SA2012
2SA2013-TD-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 4A 50VНетSMD/SMTPCP-3PNPSingle- 50 V- 50 V- 6 V- 200 mV- 7 A360 MHz2SA2013
2SA2016-TD-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 7A 50VНетSMD/SMTSOT-89-3PNP50 V100 V6 V240 mV7 A330 MHz2SA2016
2SA2029M3T5GON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 100mA 60V PNPНетSMD/SMTSOT-723-3PNPSingle- 50 V- 60 V6 V- 0.5 V0.1 A140 MHz- 55 C+ 150 C2SA2029M3
2SA2039-EON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 5A 50VНетThrough HoleTO-251-3PNP50 V6 V2SA2039
2SA2039-HON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 5A 50VНетThrough HoleTO-251-3PNP50 V6 V2SA2039

Страницы