Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7541
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
2N5193Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 4.0A 40WНетSiThrough HoleTO-126-3PNPSingle40 V40 V5 V1.4 V2 MHz- 65 C+ 150 C2N5193
2N5202 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 100Vcbo 75Vcer 50Vceo 6.0Vebo 35WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle50 V100 V6 V1.2 V- 65 C+ 200 C2N52
2N5249Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT JFET N-ChНетSiTO-92-3
2N5296Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 60Vcbo 60Vcev 4.0A 50Vcer 40Vceo 36WНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle40 V60 V1 V0.8 MHz- 65 C+ 150 C2N5296
2N5321Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle50 V75 V5 V800 mV2 A50 MHz- 65 C+ 200 C2N5321
2N5323Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle50 V75 V5 V1.2 V2 A50 MHz- 65 C+ 200 C2N5323
2N5333Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 100Vcbo PNP Trans 80Vceo 6.0Vebo 2.0AНетSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle80 V100 V6 V1 V30 MHz- 65 C+ 200 C2N5333
2N5338Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle100 V100 V6 V700 mV5 A30 MHz- 65 C+ 200 C2N5338
2N5375Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP Vcbo 40Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 360mWНетSiThrough HoleTO-92-3PNPSingle30 V40 V5 V300 mV150 MHz- 65 C+ 150 C
2N5400 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 130Vcbo 120Veo 5.0Vebo 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3PNPSingle120 V130 V5 V0.2 V400 MHz- 65 C+ 150 C2N54
2N5427 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 80Vcbo 80Vceo 7.0A 40W 0.7VceНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle80 V80 V0.7 V30 MHz2N54
2N5428 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 80Vcbo 80Vceo 7.0A 40W 0.7VceНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle80 V80 V0.7 V30 MHz2N54
2N5429 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 100Vcbo 100Vceo 7.0A 40W 0.7VceНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle100 V100 V0.7 V30 MHz2N54
2N5629 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 100Vcbo 100Vceo 7.0Vebo 5.0A 200WНетSiThrough HoleTO-3-2NPNSingle100 V100 V7 V2 V1 MHz- 65 C+ 200 C2N56
2N5781Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle65 V80 V5 V500 mV3.5 A60 MHz- 65 C+ 200 C2N5781
2N5783Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 45Vcbo 45Vcer 3.5A 40Vceo 3.5Vebo 10WНетSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle40 V45 V3.5 V2 V60 MHz- 65 C+ 200 C2N5783
2N5786 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 45Vcbo 40Vceo 3.5Vebo 2.0VНетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle40 V45 V3.5 V1 V1 MHz2N57
2N5822Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 70Vcbo 70Vces 60Vceo 5.0V 750mA 625wWНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle60 V70 V5 V0.75 V750 mA120 MHz- 65 C+ 150 C
2N5859Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 80Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 2.0A 1.0WНетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle40 V80 V6 V0.7 V250 MHz- 65 C+ 200 C2N5859
2N5886 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 25A 200WНетSiThrough HoleTO-3-2NPNSingle80 V80 V5 V4 V4 MHz- 65 C+ 200 C2N58
2N5954 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 90Vcbo 90Vcev 85Vcer 80Vceo 40WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle80 V90 V5 V1 V4 MHz- 65 C+ 200 C2N59
2N5955 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 70Vcbo 70Vcev 65Vcbo 70Vcev 40WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle60 V70 V5 V1 V4 MHz- 65 C+ 200 C2N59
2N5956Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 50Vcbo 50Vcev 45Vcer 5.0Vebo 40WНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle40 V50 V5 V2 V5 MHz- 65 C+ 200 C2N5956
2N5963Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 30Vcbo 30Vceo 7.0Vebo 50mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle30 V30 V7 V0.2 V150 MHz- 65 C+ 150 C2N5961
2N6049 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 4.0A 75W 90Vcbo 55Vceo 0.5AНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle55 V90 V0.5 V0.8 MHz2N60

Страницы