Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7541
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
2N3740A PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 60Vcbo 60Vceo 7.0Vebo 4.0A 25WНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle60 V60 V7 V0.6 V4 MHz- 65 C+ 200 C2N37
2N3741Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle60 V60 V7 V0.6 V10 A4 MHz- 65 C+ 200 C2N3741
2N3741ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP Pwr Trans 80V 4.0A 25WНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle60 V60 V7 V0.6 V10 A4 MHz- 65 C+ 200 C2N3741
2N3763Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT Small SignalНетSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle60 V5 V150 MHz2N3763
2N3766 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 80Vcbo 60Vceo 6.0Vebo 4.0A 25WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle60 V80 V6 V2.5 V10 MHz- 65 C+ 200 C2N37
2N3767Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 100Vcbo 80Vceo 6.0Vebo 4.0A 25WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle80 V100 V6 V2.5 V10 MHz- 65 C+ 200 C2N3767
2N3866ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 55Vcbo 30Vceo 3.5Vebo 0.4A 5.0WНетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle30 V55 V3.5 V1 V800 MHz- 65 C+ 200 C2N3866A
2N4029Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-18PNPSingle80 V80 V5 V500 mV150 MHz- 55 C+ 200 C2N4029
2N4058Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 30Vcbo PNP Low Noise 30Vceo 625mW 200mAНетSiThrough HoleTO-92-3PNPSingle30 V30 V6 V700 mV200 mA- 65 C+ 150 C2N4058
2N4124 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 30Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 200mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle25 V30 V5 V0.3 V300 MHz- 65 C+ 150 C2N41
2N4126 TRECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 25Vcbo 25Vceo 4.0Vebo 200mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3PNPSingle25 V25 V4 V0.4 V250 MHz- 65 C+ 150 C2N4126E
2N4231Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 3.0A 35W 50Vcbo 40Vceo 1.5A 2.0VceНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle50 V2 V4 MHz2N4231
2N4240Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 500Vcbo 300Vceo 1.0Vce 2.0A 15MhzНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle300 V500 V6 V1 V5 A15 MHz- 65 C+ 200 C2N4240
2N4264Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 30Vcbo 15Vceo 6.0Vebo 200mAНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle15 V30 V6 V0.35 V350 MHz- 55 C+ 150 C
2N4296 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 350Vcbo 250V 4.0Vebo 1.0A 20WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle250 V350 V4 V1.5 V20 MHz- 65 C+ 175 C2N42
2N4298 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 500Vcbo 350V 4.0Vebo 1.0A 20WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle350 V500 V4 V1.5 V20 MHz- 65 C+ 175 C2N42
2N4400Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 60Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 600mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle40 V60 V6 V0.75 V200 MHz- 65 C+ 150 C2N4400
2N4402Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3PNPSingle40 V40 V5 V0.75 V150 MHz- 65 C+ 150 C2N4402
2N4424 TRECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 500mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle40 V60 V5 V0.3 V- 65 C+ 150 C2N4424
2N4899 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 1.0A 25W 60Vcbo 60Vceo 0.6VНетSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle60 V60 V0.6 V3 MHz2N48
2N4905Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-3-2PNPSingle60 V60 V5 V1.5 V4 MHz- 65 C+ 200 C2N4905
2N4912Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle80 V80 V5 V600 mV1 A3 MHz- 65 C+ 200 C2N4912
2N5050 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 125Vcbo 125Vceo 6.0Vebo 2.0A 40WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle125 V125 V6 V5 V10 MHz- 65 C+ 175 C2N50
2N5052 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 200Vcbo 200Vceo 6.0Vebo 2.0A 40WНетSiThrough HoleTO-66-2NPNSingle200 V200 V6 V5 V10 MHz- 65 C+ 175 C2N50
2N5087 TRACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 625mW 1.5WНетSiThrough HoleTO-92-3PNPSingle50 V50 V3 V0.3 V40 MHz- 65 C+ 150 C2N5087A

Страницы