Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7541
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
BCY58-XCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1WНетSiThrough HoleTO-18NPNSingle32 V32 V7 V0.7 V200 mA150 MHz- 65 C+ 200 C
BCY59Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 45Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1WНетSiThrough HoleTO-18NPNSingle45 V45 V7 V0.7 V200 mA150 MHz- 65 C+ 200 C
BCY59-IXCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 45Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1WНетSiThrough HoleTO-18NPNSingle45 V45 V7 V0.7 V200 mA150 MHz- 65 C+ 200 C
BCY59-VIICentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 45Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1WНетSiThrough HoleTO-18NPNSingle45 V45 V7 V0.7 V200 mA150 MHz- 65 C+ 200 C
BCY59-VIIICentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 45Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1WНетSiThrough HoleTO-18NPNSingle45 V45 V7 V0.7 V200 mA150 MHz- 65 C+ 200 C
BCY59-XCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Trans 45Vcbo 45Vceo 7.0Vebo 340mWНетSiThrough HoleTO-18NPNSingle45 V45 V7 V0.7 V200 mA150 MHz- 65 C+ 200 C
BCY78-IXCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 32Vcbo 5.0Vebo 100mA 340mW 1WНетSiThrough HoleTO-18PNPSingle32 V32 V5 V0.8 V200 mA100 MHz- 65 C+ 200 C
BCY78-VIICentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 32Vcbo 5.0Vebo 100mA 340mW 1WНетSiThrough HoleTO-18PNPSingle32 V32 V5 V0.8 V200 mA100 MHz- 65 C+ 200 C
BCY78-XCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 32Vcbo 5.0Vebo 100mA 340mW 1WНетSiThrough HoleTO-18PNPSingle32 V32 V5 V0.8 V200 mA100 MHz- 65 C+ 200 C
BCY79Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 45Vcbo 5.0Vebo 100mA 340mW 1WНетSiThrough HoleTO-18PNPSingle45 V45 V5 V0.8 V200 mA100 MHz- 65 C+ 200 C
BCY79-IXCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 45V 100mAНетSiThrough HoleTO-18PNPSingle45 V45 V5 V0.8 V200 mA100 MHz- 65 C+ 200 C
BCY79-VIICentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 45Vcbo 5.0Vebo 100mA 340mW 1WНетSiThrough HoleTO-18PNPSingle45 V45 V5 V0.8 V200 mA100 MHz- 65 C+ 200 C
BCY79-VIIICentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 45Vcbo 5.0Vebo 100mA 340mW 1WНетSiThrough HoleTO-18PNPSingle45 V45 V5 V0.8 V200 mA100 MHz- 65 C+ 200 C
BD440Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 60Vcbo 60Vces 60Vceo 5.0V 36WНетSiThrough HoleTO-126-3PNPSingle60 V60 V5 V0.8 V7 A3 MHz- 65 C+ 150 CBD440
BFX34Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 120Vcbo 60Vceo 6.0Vebo 5.0A 1.0WНетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle60 V120 V6 V1 V70 MHz- 65 C+ 200 CBFX34
BSS44Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 65Vcbo PNP 60Vceo 6.0Vebo 5.0A 5.0WНетSiSMD/SMTTO-39-3NPNSingle60 V65 V6 V1.1 V70 MHz- 65 C+ 200 CBSS44
BSW68ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 150Vcer 500mA 80MHz 35pFНетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle150 V6 V1 V80 MHzBSW68A
BSX20Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 40Vcbo 15Vceo 4.5Vebo 10mA 4.0pFНетSiThrough HoleTO-18-3NPNSingle15 V40 V4.5 V0.25 V10 mA500 MHz
BSX63-10Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 80Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 3.0A 5.0WНетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle60 V80 V5 V0.8 V3 A30 MHz- 65 C+ 200 C
BSX64Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 100Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 30MHz 70pFНетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle100 V5 V0.8 V30 MHzBSX64
BSY79Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN AMPL/SWITCH 120Vcbo 5.0VeboНетSiThrough HoleTO-18NPNSingle120 V5 V0.5 V50 MHz
BU406Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Trans 400Vcbo 400Vces 200Vceo 60WНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle200 V400 V6 V1 V15 A10 MHz- 65 C+ 150 C
BU407Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Trans 330Vcbo 330Vces 150Vceo 60WНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle150 V330 V6 V1 V10 MHz- 65 C+ 150 C
BU408Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Trans 400Vcbo 400Vces 200Vceo 60WНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle200 V400 V6 V1 V10 MHz- 65 C+ 150 C
BUX11Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 20A 150W 250Vcbo 200Vceo 12A 8.0MhzНетSiThrough HoleTO-3-2NPNSingle250 V1.5 V8 MHzBUX11

Страницы