Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
AC857CWQ-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose TransistorНетSiSMD/SMTPNPSingle- 45 V- 50 V- 5 V- 650 mV- 200 mA200 MHz- 65 C+ 150 C
BC817-25Q-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose TransistorНетSiSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle45 V50 V5 V0.7 V1 A100 MHz- 65 C+ 150 CBC817-16Q / -25Q / -40Q
BC817-40Q-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT SS Low Sat TransistorНетSiSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle45 V50 V5 V0.7 V100 MHz- 65 C+ 150 CBC817-16Q / -25Q / -40Q
BC846ASQ-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose TransistorДаSiSMD/SMTNPNDual65 V80 V6 V600 mV200 mA100 MHz- 55 C+ 150 CBC846A
BC847PNQ-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose TransistorНетSiSMD/SMTSOT-363-6NPN, PNPSingle45 V50 V6 V600 mV300 MHz- 65 C+ 150 C
BC856B-13-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT NPN Small SIG -80V -65V VCEO -5.0 VEBOНетSiSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 65 V- 80 V- 5 V- 650 mV200 MHz- 65 C+ 150 CBC856B
BC857BS-13-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT NPN Small SIG -50V -45V VCEO 6.0V VEBOНетSiSMD/SMTSOT-363-6PNPDual- 45 V- 50 V- 5 V- 400 mV100 MHz- 55 C+ 150 CBC857B
BC857BTQ-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose TransistorНетSiSMD/SMTSOT-523-3PNPSingle- 45 V- 50 V- 5 V- 250 mV100 MHz- 55 C+ 150 C
BCM846BS-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose TransistorДаSiSMD/SMTSOT-363-6NPNDual65 V80 V6 V400 mV100 mA100 MHz- 65 C+ 150 C
BCP5616QTADiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf TransistorНетSiSMD/SMTSOT-223-3NPNSingle80 V100 V5 V0.5 V1 A150 MHz- 65 C+ 150 C
BCP5616QTCDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 4KНетSiSMD/SMTSOT-223-3PNPSingle80 V100 V5 V0.5 V2 A150 MHz- 65 C+ 150 C
BCW66HQTADiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose TransistorНетSiSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle45 V75 V7 V0.7 mV800 mA100 MHz- 55 C+ 150 C
BCX5616QTADiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf TransistorНетSiSMD/SMTSOT-89-3NPNSingle80 V100 V6 V0.5 V1 A150 MHz- 65 C+ 150 C
DMMT3904WQ-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT Gen Purp TransНетSiSMD/SMTSOT-363-6NPNDual40 V60 V6 V300 MHz- 65 C+ 150 CDMMT3904
DSS4160TQ-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 60V NPN Low Sat 1A 280mOhmНетSiSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle60 V80 V5 V0.28 V150 MHz- 55 C+ 150 CDSS4160
DSS5160TQ-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT SS Low Sat TransistorДаSiSMD/SMTPNPSingle- 60 V- 80 V- 5 V- 340 mV- 2 A150 MHz- 55 C+ 150 CDSS5160
DSS5220T-13Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 20V PNP Low Sat TransistorНетSiSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 20 V- 20 V- 7 V- 225 mV- 3 A100 MHz- 55 C+ 150 CDSS5220
DSS8110Y-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS NPNНетSiSMD/SMTSOT-363-6NPNSingle100 V120 V5 V0.2 V100 MHz- 55 C+ 150 CDSS8110
DXT651Q-13Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf TransistorДаSiSMD/SMTSOT-89-3NPNSingle60 V80 V5 V0.23 V3 A200 MHz- 55 C+ 150 C
DXT751Q-13Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf TransistorДаSiSMD/SMTSOT-89-3PNPSingle- 60 V- 80 V- 5 V- 0.2 V- 3 A145 MHz- 55 C+ 150 C
DXTN3C100PSQ-13Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 100V NPN Medium Pwr Low Sat TransistorНетSiSMD/SMTPowerDI5060-8NPNSingle100 V100 V7 V225 mV3 A140 MHz- 55 C+ 175 C
DXTN3C60PS-13Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT SS Low Sat TransistorДаSiSMD/SMTNPNSingle60 V60 V7 V270 mV8 A140 MHz- 55 C+ 175 CDXTN3C60
DXTN3C60PSQ-13Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 60V NPN Medium Pwr Low Sat TransistorНетSiSMD/SMTPowerDI5060-8NPNSingle60 V60 V7 V180 mV3 A140 MHz- 55 C+ 175 C
DXTP3C60PS-13Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT SS Low Sat TransistorДаSiSMD/SMTPowerDI5060-8PNPSingle- 60 V- 60 V- 7 V- 240 mV- 3 A-- 55 C+ 175 C
DXTP3C60PSQ-13Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 60V PNP Medium Pwr Low Sat TransistorНетSiSMD/SMTPowerDI5060-8PNPSingle- 60 V- 60 V- 7 V- 240 mV- 3 A135 MHz- 55 C+ 175 C

Страницы