Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
MJ10012Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 10A 175W 600Vcbo 400Vceo 6A Ic 5.0VceНетSiThrough HoleTO-3-2NPNSingle600 V2.5 VMJ10012
MJ2955Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 100Vcbo 70Vcer 60Vceo 15A 115WНетSiThrough HoleTO-3-2PNPSingle60 V100 V7 V3 V2.5 MHz- 65 C+ 200 C
MJ3001Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 10A 150WНетSiThrough HoleTO-3-2NPNSingle80 V80 V5 V4 V- 55 C+ 200 CMJ3001
MJE13005 SLCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 75WНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle400 V9 V1 V8 A4 MHz- 65 C+ 150 CMJE13005
MJE15031Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 120Vcbo 120Vceo 5.0Vebo 8.0A 2.0WНетSiThrough HoleTO-220-3PNPSingle- 150 V- 150 V- 5 V- 0.5 V- 8 A30 MHz- 65 C+ 150 C
MJE520Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 3.0A 25WНетSiThrough HoleTO-126-3NPNSingle30 V30 V4 V7 A- 65 C+ 150 CMJE520
MJE521Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40WНетSiThrough HoleTO-126-3NPNSingle40 V40 V4 V8 A- 65 C+ 150 CMJE521
MM3007Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 120Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 250mA 15pFНетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle120 V5 V0.35 V50 MHzMM3007
MPQ2222A PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 500mA 650mWНетSiThrough HoleTO-116-14NPNQuad40 V75 V6 V1 V200 MHz- 65 C+ 150 CMPQ2222
MPQ2483Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Low Noise 60Vcbo 40Vceo 8.0pFДаSiThrough HoleTO-116NPNQuad40 V60 V6 V0.5 V50 MHz
MPQ2483 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Low Noise 60Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 8pFНетSiThrough HoleTO-116-14NPNQuad40 V60 V6 V0.5 V50 MHz
MPQ2907ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-116PNPQuad60 V60 V5 V1.6 V600 mA200 MHz- 65 C+ 150 CMPQ2
MPQ3725ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Quad TransistorНетSiThrough HoleTO-116NPNQuad50 V5 V450 mV1 A200 MHz- 65 C+ 150 CMPQ3
MPQ3762Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP Core Driver 40Vcbo 40Vceo 15pFДаSiThrough HoleTO-116PNPSingle40 V40 V5 V0.55 V150 MHz
MPQ3798Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP Low Noise 60Vcbo 40Vcbo 4.0pFНетSiThrough HoleTO-116PNPQuad40 V60 V5 V0.2 V60 MHz- 65 C+ 150 C
MPQ3799Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-116PNPQuad60 V60 V5 V200 mV50 mA60 MHz- 65 C+ 150 CMPQ3
MPQ3904Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-116NPNQuad40 V60 V6 V200 mV250 MHz- 65 C+ 150 CMPQ3
MPQ3906Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP Quad TransistorНетSiThrough HoleTO-116PNPQuad40 V40 V5 V0.25 V200 MHz- 65 C+ 150 CMPQ3
MPQ6100ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-116NPN, PNPQuad60 V5 V250 mV50 MHzMPQ6
MPQ6700Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN PNP AMPL/Switch 40Vcbo 40Vceo 10pFНетSiThrough HoleTO-116NPN, PNPQuad40 V40 V5 V0.25 V200 MHz- 65 C+ 150 C
MPQ7043Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN High Voltage 250V 250Vceo 5.0pFНетSiSMD/SMTTO-116NPNQuad250 V250 V5 V0.5 V500 mA50 MHz- 65 C+ 150 C
MPQ7053Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN/PNP High Voltage 250V 250Vceo 6.0pFНетSiThrough HoleTO-116NPN, PNPQuad250 V250 V5 V0.7 V50 MHz- 65 C+ 150 C
MPQ7093Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 250Vcbo 250Vceo 5.0Vebo 500mA 750mWНетSiThrough HoleTO-116PNPQuad250 V250 V5 V0.5 V50 MHz- 65 C+ 150 CMPQ7093
MPS3415Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 25Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 500mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle25 V25 V5 V0.3 V- 65 C+ 150 CMPS3415
MPS404ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 40Vcbo 35Vceo 25Vebo 150mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3PNPSingle35 V40 V25 V0.2 V- 65 C+ 150 CMPS404A

Страницы