Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
PN3568Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle60 V80 V5 V250 mV500 mA600 MHz- 65 C+ 150 CPN35
PN3646Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT SS TransistorНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle15 V40 V5 V0.5 V- 55 C+ 150 CPN36
PN4209Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 15Vcbo 15Vceo 4.5Vebo 200mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3PNPSingle15 V15 V4.5 V0.6 V850 MHz- 65 C+ 150 CPN4209
TIP112Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 100Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 2.0A 50WНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle100 V100 V5 V2.5 V4 A25 MHz- 65 C+ 150 CTIP112
TIP29A SLCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 40Vcbo 5.0Vebo 40Vceo 30pD 1AНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle60 V60 V5 V0.7 V3 A3 MHz- 65 C+ 150 C
TIP29B PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 80Vcbo 5.0Vebo 80Vceo 1.0A 30WНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle80 V80 V5 V0.7 V3 MHz- 65 C+ 150 CTIP29
TIP30BCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-220-3PNPSingle80 V80 V5 V700 mV3 A3 MHz- 65 C+ 150 CTIP30
TIP31C SLCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 100Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 3.0A 40WНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle100 V100 V5 V1.2 V5 A3 MHz- 65 C+ 150 CTIP31C
TIP31 SLCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 3.0A 2.0WНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle40 V40 V5 V1.2 V3 A3 MHz- 65 C+ 150 CTIP31SL
TIP32A SLCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 40WНетSiThrough HoleTO-220-3PNPSingle60 V60 V5 V1.2 V5 A3 MHz- 65 C+ 150 CTIP32
TIP32BCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-220-3PNPSingle80 V80 V5 V1.2 V5 A3 MHz- 65 C+ 150 CTIP32
TIP41Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 65WНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle40 V40 V5 V1.5 V6 A3 MHz- 65 C+ 150 CTIP41
TIP41BCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 65WНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle80 V80 V5 V1.5 V6 A3 MHz- 65 C+ 150 CTIP41
TIP41CCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 100Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 65WНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle100 V100 V5 V1.5 V6 A3 MHz- 65 C+ 150 CTIP41
TIP41C SLCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 100Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 65WНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle100 V100 V5 V6 A3 MHz- 65 C+ 150 CTIP41
TIP42Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 65WНетSiThrough HoleTO-220-3PNPSingle40 V40 V5 V1.5 V10 A3 MHz- 65 C+ 150 C
TIP42ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 65WНетSiThrough HoleTO-220-3PNPSingle60 V60 V5 V1.5 V10 A3 MHz- 65 C+ 150 C
TIP42BCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 65WНетSiThrough HoleTO-220-3PNPSingle80 V80 V5 V1.5 V10 A3 MHz- 65 C+ 150 C
TIP42CCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 100Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 65WНетSiThrough HoleTO-220-3PNPSingle100 V100 V5 V1.5 V3 MHz- 65 C+ 150 C
2DA1971Q-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT Pwr Hi Voltage Transistor SOT89 T&R 1KДаSiSMD/SMTSOT-89-3PNPSingle- 400 V- 400 V- 7 V- 400 mV- 0.5 A75 MHz- 55 C+ 150 C
AC817-40Q-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 45V PNP SS Low Sat TransistorНетSiSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle45 V50 V5 V0.7 V0.5 A100 MHz- 65 C+ 150 C
AC847BWQ-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose TransistorНетSiSMD/SMTSOT-323-3NPNSingle45 V50 V6 V200 mV100 mA300 MHz- 65 C+ 150 C
AC847CQ-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose TransistorНетSiSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle45 V50 V6 V200 mV100 mA300 MHz- 65 C+ 150 C
AC857BQ-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose TransistorНетSiSMD/SMTPNPSingle- 45 V- 50 V- 5 V- 650 mV- 200 mA200 MHz- 65 C+ 150 C
AC857CQ-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose TransistorНетSiSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 45 V- 50 V- 5 V- 250 mV- 100 mA200 MHz- 65 C+ 150 C

Страницы