Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
2N3737UB/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-3NPNSingle40 V75 V5 V0.9 V1.5 A- 65 C+ 200 C
2N3740AMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle60 V60 V7 V600 V10 A3 MHz- 65 C+ 200 C
2N3743Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle300300 V5 V1.2 V- 65 C+ 200 C
2N3762LMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-5-3PNPSingle40 V40 V5 V0.9 V1.5 A- 55 C+ 200 C
2N3763Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-93-3PNPSingle60 V60 V5 V0.9 V1.5 A- 55 C+ 200 C
2N3763LMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-5-3PNPSingle60 V60 V5 V0.9 V1.5 A- 55 C+ 200 C
2N3764Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-46-3PNPSingle40 V40 V5 V0.9 V1.5 A- 55 C+ 200 C
2N3765Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-46-3PNPSingle60 V60 V5 V0.9 V1.5 A- 55 C+ 200 C
2N3791Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle60 V60 V7 V1 V10 A- 65 C+ 200 C
2N3810Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-78-6PNPDual60 V60 V5 V200 mV50 mA- 65 C+ 200 C
2N3810/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-78-6PNPDual60 V60 V5 V0.2 V50 mA- 65 C+ 200 C
2N3810L/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-78-6PNPDual60 V60 V5 V0.2 V50 mA- 65 C+ 200 C
2N3810U/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-6PNPDual60 V60 V5 V0.2 V50 mA- 65 C+ 200 C
2N3838/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTFlatpack-6NPN, PNPDual40 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
2N3868Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-5-3PNPSingle60 V60 V4 V500 mV3 mA- 65 C+ 200 C
2N4033/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle80 V80 V5 V1 V1 A- 65 C+ 200 C
2N4033UA/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-4PNPSingle80 V80 V5 V1 V1 A- 65 C+ 200 C
2N4150Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-5-3NPNSingle70 V100 V10 V600 mV10 A- 65 C+ 200 C
2N4261/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-72-3PNPSingle- 15 V- 15 V- 4.5 V- 0.15 V- 30 mA- 65 C+ 200 C
2N4261UB/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-3PNPSingle- 15 V- 15 V- 4.5 V- 0.15 V- 30 mA- 65 C+ 200 C
2N4300Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle80 V100 V6 V0.3 V30 MHz
2N4449/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-46-3NPNSingle20 V6 V6 V0.45 V- 65 C+ 200 C
2N4854U/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTU-6NPN, PNPDual40 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
2N4957UB/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-3PNPSingle- 30 V- 30 V- 3 V- 30 mA- 65 C+ 200 C
2N5151Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle80 V100 V5.5 V750 mV2 A- 65 C+ 200 C

Страницы