Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
2N2905A/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-205AD-3PNPSingle60 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
2N2906AUA/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-4PNPSingle60 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
2N2906AUB/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-3PNPSingle60 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
2N2907AMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-18-3PNPSingle60 V60 V5 V400 mV600 mA- 65 C+ 200 C
2N2907A/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-206AA-3PNPSingle60 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
2N2907Ae3Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsНетSiThrough HoleTO-206AA-3PNPSingle60 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
2N2907Ae3/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsНетSiThrough HoleTO-206AA-3PNPSingle60 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
2N2907Ae4/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsНетSiThrough HoleTO-206AA-3PNPSingle60 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
2N2907AL/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-206AA-3PNPSingle60 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
2N2907AUBMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-18-3PNPSingle60 V60 V5 V1.6 V-- 65 C+ 200 C
2N2907AUB/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-3PNPSingle60 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
2N2944AUB/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTSMD-3PNPSingle- 10 V- 15 V- 15 V- 100 mA- 65 C+ 200 C
2N2945A/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-46-3PNPSingle- 20 V- 25 V- 25 V- 100 mA- 65 C+ 200 C
2N2946A/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-46-3PNPSingle- 40 V- 40 V- 40 V- 100 mA- 65 C+ 200 C
2N2946AUB/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTSMD-3PNPSingle- 40 V- 40 V- 40 V- 100 mA- 65 C+ 200 C
2N3019Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-5-3NPNSingle80 V140 V7 V0.5 V100 MHz- 65 C+ 200 C
2N3019/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle80 V140 V7 V0.5 V1 A- 65 C+ 200 C
2N3019SMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle80 V140 V7 V200 mV1 A- 65 C+ 200 C
2N3019S/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-5-3NPNSingle80 V140 V7 V0.5 V1 A- 65 C+ 200 C
2N3057AMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-46-3NPNSingle80 V140 V7 V200 mV1 A- 65 C+ 200 C
2N3057A/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-46-3NPNSingle80 V140 V7 V0.5 V1 A- 65 C+ 200 C
2N3250A/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle60 V60 V5 V0.5 V200 mA- 65 C+ 175 C
2N327AMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-5-3PNPSingle- 40 V- 50 V- 20 V0.3 V- 65 C+ 165 C
2N328AMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-5-3PNPSingle- 35 V- 50 V- 20 V0.5 V- 65 C+ 165 C
2N329AMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-5-3PNPSingle- 30 V- 50 V- 20 V0.6 V- 65 C+ 165 C

Страницы