Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
300P14-UTHATБиполярные транзисторы - BJT 4 NPN Matched Trans. Array DIP-14НетThrough HoleDIP-14NPNQuad40 V36 V5 V50 mV30 mA350 MHz0 C+ 85 C300
300S14-UTHATБиполярные транзисторы - BJT 4 NPN Matched Trans. Array SO-14НетSMD/SMTSO-14NPNQuad40 V5 V30 mA350 MHz0 C+ 70 C300
300S14-URTHATБиполярные транзисторы - BJT Low-Noise Matched Transistor ArrayНет300
320P14-UTHATБиполярные транзисторы - BJT 4 PNP Matched Trans. Array DIP-14НетThrough HoleDIP-14PNPQuad- 36 V- 36 V5 V- 50 mV30 mA325 MHz0 C+ 85 C320
320S14-UTHATБиполярные транзисторы - BJT 4 PNP Matched Trans. Array SO-14НетSMD/SMTSO-14PNPQuad- 40 V- 5 V325 MHz0 C+ 70 C320
320S14-URTHATБиполярные транзисторы - BJT Low-Noise Matched Transistor ArrayНет300
340P14-UTHATБиполярные транзисторы - BJT 2 NPN+2 PNP Matched Trans. Array DIP-14НетThrough HoleDIP-14NPN, PNPQuad40 V40 V5 V20 A350 MHz0 C+ 70 C340
LM395TTexas InstrumentsБиполярные транзисторы - BJT Ultra Reliable Power Transistor 3-TO-220 0 to 125ДаThrough HoleTO-220-30 C+ 125 CLM395
LM395T/NOPBTexas InstrumentsБиполярные транзисторы - BJT ULTRA RELIABLE PWR TRANSISTORНетThrough HoleTO-220-3NPN36 V20 V0 C+ 125 CLM395
LP395Z/LFT1Texas InstrumentsБиполярные транзисторы - BJT Ultra Reliable Power Transistor 3-TO-92НетThrough HoleTO-92-3- 40 C+ 125 CLP395
HFA3096BZRenesas / IntersilБиполярные транзисторы - BJT W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MILНетSOIC-Narrow-16NPN, PNPQuint8 V12 V5.5 V0.065 A8000 MHz- 55 C+ 125 CHFA3096
BDX18XJQR-BSemelab / TT ElectronicsБиполярные транзисторы - BJTНетThrough HoleTO-3PNPSingle- 70 V- 1.5 A800 kHzBDX
BDY25BSemelab / TT ElectronicsБиполярные транзисторы - BJT 120pF 200 Volts 50W TRANSISTOR, BIPOLARНетThrough HoleTO-3-2NPNSingle140 V200 V10 V600 mV6 A10 MHz- 65 C+ 200 C
BSS76Semelab / TT ElectronicsБиполярные транзисторы - BJT TT ElectronicsДа
2N1486Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-8-3NPNSingle55 V100 V12 V750 mV3 A- 65 C+ 200 C
2N2060L/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-78-6NPNDual60 V100 V7 V0.3 V500 mA- 65 C+ 200 C
2N2218A/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle50 V75 V6 V0.3 V800 mA- 55 C+ 200 C
2N2218AL/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-5-3NPNSingle50 V75 V6 V0.3 V800 mA- 55 C+ 200 C
2N2219AMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle50 V75 V6 V300 mV800 mA- 55 C+ 200 C
2N2219Ae3Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsНетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle50 V75 V6 V0.3 V800 mA- 55 C+ 200 C
2N2219Ae3/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTНетSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle50 V75 V6 V0.3 V800 mA- 55 C+ 200 C
2N2219Ae4/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle50 V75 V6 V0.3 V800 mA- 55 C+ 200 C
2N2221AUA/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-4NPNSingle50 V75 V6 V0.3 V800 mA- 65 C+ 200 C
2N2221AUB/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-3NPNSingle50 V75 V6 V0.3 V800 mA- 65 C+ 200 C
2N2222AMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-18-3NPNSingle50 V75 V6 V300 mV- 65 C+ 200 C

Страницы