Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FF600R12ME4P_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
FF600R12ME4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 1200V | Нет | Tray | |||||||||||||
FF600R17ME4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode and NTC | Нет | Tray | |||||||||||||
FF600R17ME4P | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
FF600R17ME4P_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
FF600R17ME4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode, NTC and PressFIT Contact Technology | Нет | Tray | |||||||||||||
FF650R17IE4DP_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | |||||||||||||
FF650R17IE4D_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 650A | Да | Tray | |||||||||||||
FF650R17IE4P | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
FF650R17IE4V | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
FF800R17KP4_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 800A | Да | Tray | |||||||||||||
FF900R12IE4V | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | |||||||||||||
FF900R12IP4DV | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | |||||||||||||
FF900R12IP4V | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | |||||||||||||
FP06R12W1T4_B3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
FP100R07N3E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V | Нет | Tray | |||||||||||||
FP100R07N3E4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V | Нет | Tray | |||||||||||||
FP10R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 10A 600V | Нет | Tray | |||||||||||||
FP10R12W1T4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A | Да | Tray | |||||||||||||
FP10R12W1T4_B29 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | |||||||||||||
FP10R12W1T4_B3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A | Да | Tray | |||||||||||||
FP10R12YT3_B4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A | Да | Tray | |||||||||||||
FP150R07N3E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 650V | Нет | Tray | |||||||||||||
FP150R07N3E4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 650V | Нет | Tray | |||||||||||||
FP15R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 15A 600V | Нет | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- …
- следующая ›
- последняя »