Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
F3L200R07PE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 650VНетTray
F3L200R12W2H3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
F3L300R12ME4_B22Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1200VНетTray
F3L300R12ME4_B23Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1200VНетTray
F3L300R12MT4_B22Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
F3L300R12MT4_B23Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
F3L300R12PT4_B26Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
F3L400R07ME4_B22Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 400A 650VНетTray
F3L400R07ME4_B23Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 400A 650VНетTray
F3L400R12PT4_B26Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
F3L75R07W2E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 650V 75AДаTray
F4-50R12KS4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 1200VНетTray
F4-75R12KS4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 1200VНетTray
F5-75R06KE3_B5Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FB20R06W1E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FD1000R17IE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1000AДаTray
FD1000R17IE4D_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FD1000R33HE3-KInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 3300V 1000AДаTray
FD1000R33HL3-KInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FD1200R17HP4-K_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1200A 1700VНетTray
FD1400R12IP4DInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1400AДаTray
FD150R12RT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150AНет1200 V2.15 V150 A100 nA790 W- 40 C+ 150 CTray
FD1600/1200R17HP4_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1600A 1700VНетTray
FD200R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A CHOPPERДаSingle1200 V1.7 V200 A400 nA1.04 kWIS5a ( 62 mm )-5- 40 C+ 125 CTray
FD200R12PT4_B6Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray

Страницы