Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FS450R12OE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 1200V | Нет | Tray | |||||||||||||
FS450R12OE4P | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
FS450R17KE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 450A | Да | Tray | |||||||||||||
FS450R17OE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 1700V | Нет | Tray | |||||||||||||
FS500R17OE4D | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | |||||||||||||
FS500R17OE4DP | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
FS50R12KT4P_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
FS50R12KT4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A | Да | Tray | |||||||||||||
FS50R12KT4_B15 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A | Да | Tray | |||||||||||||
FS600R07A2E3_B31 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK 2 | Нет | Tray | |||||||||||||
FS75R07N2E4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 650V | Нет | Tray | |||||||||||||
FS75R12KT4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A | Да | Tray | |||||||||||||
FS75R12KT4_B15 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A | Да | Tray | |||||||||||||
FS75R12W2T4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A | Да | Tray | |||||||||||||
FZ1000R33HE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 3300V 1000A | Да | Tray | |||||||||||||
FZ1200R12HE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
FZ1200R12HP4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1200A | Да | Tray | |||||||||||||
FZ1200R17HE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1200A | Нет | Tray | |||||||||||||
FZ1200R17HP4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1200A | Нет | Tray | |||||||||||||
FZ1200R17HP4_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1200A | Да | Tray | |||||||||||||
FZ1200R33HE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1200A 3300V | Нет | Tray | |||||||||||||
FZ1200R33KF2C | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 1200A SINGLE | Да | Triple Common Emitter Common Gate | 3300 V | 3.4 V | 2000 A | 400 nA | 14.5 kW | IS5a ( 62 mm )-9 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||
FZ1200R45KL3_B5 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
FZ1500R33HE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 3300V 1500A | Да | Tray | |||||||||||||
FZ1600R12HP4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1600A | Нет | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- …
- следующая ›
- последняя »