Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FS450R12OE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 1200VНетTray
FS450R12OE4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS450R17KE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 450AДаTray
FS450R17OE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 1700VНетTray
FS500R17OE4DInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FS500R17OE4DPInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS50R12KT4P_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS50R12KT4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50AДаTray
FS50R12KT4_B15Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50AДаTray
FS600R07A2E3_B31Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK 2НетTray
FS75R07N2E4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 650VНетTray
FS75R12KT4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75AДаTray
FS75R12KT4_B15Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75AДаTray
FS75R12W2T4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75AДаTray
FZ1000R33HE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 3300V 1000AДаTray
FZ1200R12HE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FZ1200R12HP4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1200AДаTray
FZ1200R17HE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1200AНетTray
FZ1200R17HP4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1200AНетTray
FZ1200R17HP4_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1200AДаTray
FZ1200R33HE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1200A 3300VНетTray
FZ1200R33KF2CInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 1200A SINGLEДаTriple Common Emitter Common Gate3300 V3.4 V2000 A400 nA14.5 kWIS5a ( 62 mm )-9- 40 C+ 125 CTray
FZ1200R45KL3_B5Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FZ1500R33HE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 3300V 1500AДаTray
FZ1600R12HP4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1600AНетTray

Страницы