Всего результатов: 196
Страницы
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Тип транзистора | Технология | Усиление | Полярность транзистора | Vds - напряжение пробоя сток-исток | Vds - напряжение пробоя затвор-исток | Id - непрерывный ток утечки | Выходная мощность | Максимальное напряжение сток-затвор | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Pd - рассеивание мощности | Вид монтажа | Упаковка / блок | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N5952 | Central Semiconductor | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NPN RF Amp Engineering Hold | Да | JFET | Si | N-Channel | 30 V | 30 V | - 55 C | + 150 C | Through Hole | TO-92-3 | Bulk | |||||||
BF510,215 | NXP Semiconductors | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом TAPE7 FET-RFSS | Нет | JFET | Si | N-Channel | 20 V | 20 V | 30 mA | 20 V | + 150 C | 250 mW | SMD/SMT | SOT-23 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
BF513,215 | NXP Semiconductors | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом TAPE7 FET-RFSS | Нет | JFET | Si | N-Channel | 20 V | 20 V | 30 mA | 20 V | + 150 C | 250 mW | SMD/SMT | SOT-23 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
BF861B,215 | NXP Semiconductors | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом JFET N-CH 25V 10MA | Нет | JFET | Si | N-Channel | 25 V | - 25 V | 15 mA | 250 mW | SMD/SMT | SOT-23 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||||
BF861B,235 | NXP Semiconductors | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом N-Channel Single '+/- 25V 15mA | Нет | JFET | Si | N-Channel | 25 V | 25 V | 15 mA | 250 mW | SMD/SMT | SOT-23 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||||
BF861C,215 | NXP Semiconductors | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом JFET N-CH 25V 10mA | Да | JFET | Si | N-Channel | 25 V | - 25 V | 25 mA | 25 V | + 150 C | 250 mW | SMD/SMT | SOT-23 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
BFR31,235 | NXP Semiconductors | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом N-Channel Single '+/- 25V 5mA | Нет | JFET | Si | N-Channel | 25 V | 25 V | 5 mA | 250 mW | SMD/SMT | SOT-23 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||||
2SK3557-6-TB-E | ON Semiconductor | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом LOW-FREQUENCY AMPLIFIER | Нет | JFET | Si | N-Channel | 15 V | - 15 V | 50 mA | - 15 V | + 150 C | 200 mW | SMD/SMT | SOT-23-3 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
MAAM-009455-TR1000 | MACOM | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB | Да | MESFET | GaAs | 20.5 dB | 8 V | 375 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | PQFN-20 | Reel | |||||||
MAAM-009455-TR3000 | MACOM | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB | Да | MESFET | GaAs | 20.5 dB | 8 V | 375 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | PQFN-20 | Reel | |||||||
CE3512K2 | CEL | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C | Нет | pHEMT | GaAs | 4 V | 10 mA | - 55 C | + 125 C | 125 mW | SMD/SMT | Bulk | ||||||||
CE3514M4 | CEL | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C | Нет | pHEMT | GaAs | 10 mA | - 55 C | + 125 C | 125 mW | SMD/SMT | Bulk | |||||||||
TGF2018 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm | Нет | pHEMT | GaAs | 14 dB | 8 V | - 15 V | 58 mA | 12 V | - 65 C | + 150 C | 640 mW | SMD/SMT | Gel Pack | |||||
TGF2025 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 14dB NF .9dB P1dB 24dBm | Нет | pHEMT | GaAs | 14 dB | 8 V | - 15 V | 81 mA | 12 V | - 65 C | + 150 C | 890 mW | SMD/SMT | Gel Pack | |||||
TGF2040 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz NF 1.1dB Gain 13dB P1dB 26dBm | Нет | pHEMT | GaAs | 13 dB | 8 V | - 15 V | 129 mA | - 65 C | + 150 C | 1.4 W | SMD/SMT | Gel Pack | ||||||
TGF2060 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBm | Нет | pHEMT | GaAs | 12 dB | 8 V | - 3 V | 194 mA | - 65 C | + 150 C | 2.1 W | SMD/SMT | Gel Pack | ||||||
TGF2080 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz NF 1.1dB Gain 11.5dB PAE 56% | Нет | pHEMT | GaAs | 11.5 dB | 12 V | - 7 V | 259 mA | - 12 V | - 65 C | + 150 C | 4.2 W | SMD/SMT | Gel Pack | |||||
TGF2120 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHz | Нет | pHEMT | GaAs | 11 dB | 8 V | - 12 V | 194 mA | + 150 C | 4.2 W | Die | Gel Pack | |||||||
TGF2160 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE | Нет | pHEMT | GaAs | 10.4 dB | 12 V | - 7 V | 517 mA | - 65 C | + 150 C | 5.6 W | SMD/SMT | Gel Pack | ||||||
MRFG35003N6AT1 | NXP / Freescale | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5 | Нет | pHEMT | GaAs | 10 dB | 8 V | - 5 V | 2.9 A | + 85 C | SMD/SMT | PLD-1.5 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||||
SKY65050-372LF | Skyworks Solutions, Inc. | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHz | Нет | pHEMT | GaAs | N-Channel | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | SC-70-4 | Cut Tape, MouseReel, Reel |