Поиск элементов в базе
По вашему запросу "MRFG35003N6AT1" найдены следующие совпадения:
В базе элементов:
*для запроса элемента кликните по партномеру
| Партномер | Производитель | Изобр. | Datasheet | Склад |
|---|---|---|---|---|
| MRFG35003N6AT1 РЧ транзисторы на арсениде галлия 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5 |
Freescale Semiconductor |  |
 |
10056 20-25 дней |
| MRFG35003N6AT1 РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5 |
NXP / Freescale | |
|
6843 20-25 дней |
| MRFG35003N6AT1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor. Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from 500 to 5000 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB Customer Premise Equipment (CPE) applications. |
NXP Semiconductors |  |
|
3384 20-25 дней |
| MRFG35003N6AT1 Trans JFET 8V GaAs pHEMT 3-Pin PLD-1.5 T/R |
FREESCALE | |
|
8184 20-25 дней |
