Вы здесь

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Всего результатов: 194
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТип транзистора Технология Усиление Полярность транзистора Vds - напряжение пробоя сток-исток сортировать по убываниюVds - напряжение пробоя затвор-исток Id - непрерывный ток утечки Выходная мощность Максимальное напряжение сток-затвор Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Pd - рассеивание мощности Вид монтажа Упаковка / блок Упаковка
QPD1011SRQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .03-1.2GHz 7W 50V GaNНетHEMTGaN SiC21 dBN-Channel50 V145 V1.46 A8.7 W55 V- 40 C+ 85 C13 WSMD/SMTSMD-8Cut Tape, MouseReel, Reel
QPD1014SRQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .03-1.2GHz 15W 50V GaNНетHEMTGaN SiC18.4 dBN-Channel50 V145 V1 A12.5 W55 V- 40 C+ 85 C15.8 WSMD/SMTDFN-8Cut Tape, MouseReel, Reel
QPD1015QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaNНетHEMTGaN SiC20 dBN-Channel50 V145 V2.5 A70 W- 40 C+ 85 C64 WSMD/SMTNI-360Tray
QPD1015LQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaNНетHEMTGaN SiC20 dBN-Channel50 V145 V2.5 A70 W- 40 C+ 85 C64 WScrew MountNI-360Tray
QPD3601QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaNНетHEMTGaN SiC22 dBN-Channel50 V360 mA180 W55 V- 40 C+ 85 C60.9 WSMD/SMTNI400-2Waffle
TGF2929-HMQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaNНетHEMTGaN SiC17.4 dBN-Channel50 V- 2.8 V7.2 A132 W- 40 C+ 85 C140 WSMD/SMTWaffle
MAGX-000040-0050TPMACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4 GHz Gain 13.5dB GaN SiCНетHEMTGaN SiC13.5 dBN-Channel50 V0.3 A5 W- 40 C+ 95 C12 WSMD/SMTSOT-89-3Reel
CGHV40320D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 WattНетHEMTGaN-N-Channel50 V--320 W----SMD/SMTDieGel Pack
CGHV60040DWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 WattНетHEMTGaN18 dBN-Channel50 V-3.2 A40 W----SMD/SMTDieGel Pack
CGHV60170DWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 WattНетHEMTGaN18 dBN-Channel50 V-12.6 A170 W----SMD/SMTDieGel Pack
TGF2018QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBmНетpHEMTGaAs14 dB8 V- 15 V58 mA12 V- 65 C+ 150 C640 mWSMD/SMTGel Pack
TGF2025QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 14dB NF .9dB P1dB 24dBmНетpHEMTGaAs14 dB8 V- 15 V81 mA12 V- 65 C+ 150 C890 mWSMD/SMTGel Pack
TGF2040QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz NF 1.1dB Gain 13dB P1dB 26dBmНетpHEMTGaAs13 dB8 V- 15 V129 mA- 65 C+ 150 C1.4 WSMD/SMTGel Pack
TGF2060QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBmНетpHEMTGaAs12 dB8 V- 3 V194 mA- 65 C+ 150 C2.1 WSMD/SMTGel Pack
TGF2120QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHzНетpHEMTGaAs11 dB8 V- 12 V194 mA+ 150 C4.2 WDieGel Pack
MRFG35003N6AT1NXP / FreescaleРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5НетpHEMTGaAs10 dB8 V- 5 V2.9 A+ 85 CSMD/SMTPLD-1.5Cut Tape, MouseReel, Reel
MAAM-009455-TR1000MACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dBНетMESFETGaAs20.5 dB8 V375 mA- 40 C+ 85 CSMD/SMTPQFN-20Reel
MAAM-009455-TR3000MACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dBНетMESFETGaAs20.5 dB8 V375 mA- 40 C+ 85 CSMD/SMTPQFN-20Reel
CGH27030SWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 WattНетHEMTGaN18 dBN-Channel84 V- 10 V, 2 V7 A30 W28 V- 40 C+ 150 C21.6 WSMD/SMTCut Tape, MouseReel, Reel

Страницы