Всего результатов: 194
Страницы
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Тип транзистора | Технология | Усиление | Полярность транзистора | Vds - напряжение пробоя сток-исток | Vds - напряжение пробоя затвор-исток | Id - непрерывный ток утечки | Выходная мощность | Максимальное напряжение сток-затвор | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Pd - рассеивание мощности | Вид монтажа | Упаковка / блок | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TGF2040 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz NF 1.1dB Gain 13dB P1dB 26dBm | Нет | pHEMT | GaAs | 13 dB | 8 V | - 15 V | 129 mA | - 65 C | + 150 C | 1.4 W | SMD/SMT | Gel Pack | ||||||
TGF2060 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBm | Нет | pHEMT | GaAs | 12 dB | 8 V | - 3 V | 194 mA | - 65 C | + 150 C | 2.1 W | SMD/SMT | Gel Pack | ||||||
TGF2120 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHz | Нет | pHEMT | GaAs | 11 dB | 8 V | - 12 V | 194 mA | + 150 C | 4.2 W | Die | Gel Pack | |||||||
TGF2160 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE | Нет | pHEMT | GaAs | 10.4 dB | 12 V | - 7 V | 517 mA | - 65 C | + 150 C | 5.6 W | SMD/SMT | Gel Pack | ||||||
TGF2929-HM | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 17.4 dB | N-Channel | 50 V | - 2.8 V | 7.2 A | 132 W | - 40 C | + 85 C | 140 W | SMD/SMT | Waffle | ||||
TGF2954 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm | Нет | HEMT | GaN SiC | 19.6 dB | N-Channel | 32 V | 1.7 A | 44.5 dBm | - 65 C | + 150 C | 34.5 W | SMD/SMT | Die | Gel Pack | ||||
TGF2977-SM | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB | Нет | HEMT | GaN SiC | 13 dB | N-Channel | 32 V | - 2.7 V | 326 mA | 6 W | + 225 C | 8.4 W | SMD/SMT | QFN-16 | Tray | ||||
TGF2978-SM | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB | Нет | HEMT | GaN SiC | 11 dB | N-Channel | 32 V | - 2.7 V | 1.3 A | 19 W | + 225 C | 33 W | SMD/SMT | QFN-20 | Tray | ||||
TGF2979-SM | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB | Нет | HEMT | GaN SiC | 11 dB | N-Channel | 32 V | - 2.7 V | 1.8 A | 22 W | + 225 C | 49 W | SMD/SMT | QFN-20 | Tray | ||||
TGF3015-SM | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 17.1 dB | N-Channel | 32 V | - 2.7 V | 557 mA | 11 W | 15.3 W | SMD/SMT | QFN-EP-16 | Tray | |||||
A2G22S160-01SR3 | NXP / Freescale | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 32 W Avg., 48 V | Нет | Si | Reel | |||||||||||||||
A2G26H280-04SR3 | NXP / Freescale | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V | Да | Si | Reel | |||||||||||||||
MRFG35003N6AT1 | NXP / Freescale | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5 | Нет | pHEMT | GaAs | 10 dB | 8 V | - 5 V | 2.9 A | + 85 C | SMD/SMT | PLD-1.5 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||||
SKY65050-372LF | Skyworks Solutions, Inc. | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHz | Нет | pHEMT | GaAs | N-Channel | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | SC-70-4 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||||||
MAAM-009455-TR1000 | MACOM | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB | Нет | MESFET | GaAs | 20.5 dB | 8 V | 375 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | PQFN-20 | Reel | |||||||
MAAM-009455-TR3000 | MACOM | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB | Нет | MESFET | GaAs | 20.5 dB | 8 V | 375 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | PQFN-20 | Reel | |||||||
MAGX-000040-0050TP | MACOM | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4 GHz Gain 13.5dB GaN SiC | Нет | HEMT | GaN SiC | 13.5 dB | N-Channel | 50 V | 0.3 A | 5 W | - 40 C | + 95 C | 12 W | SMD/SMT | SOT-89-3 | Reel | ||||
MAGX-011086 | Aeroflex / Metelics (MACOM) | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом M/A-COM Technology Solutions | Да | HEMT | GaN Si | 9 dB | N-Channel | 28 V | - 10 V to 3 V | 50 mA | 4 W | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | QFN-24 | |||||
NPT1010B | MACOM | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2.0GHz P1dB 49dBm Gain 19.7dB GaN | Нет | GaN Si | Tray | |||||||||||||||
NPT1012B | MACOM | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN | Нет | HEMT | GaN Si | 13 dB | N-Channel | 100 V | 3 V | 4 mA | + 200 C | 44 W | Screw Mount | Tray | ||||||
NPT2021 | MACOM | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT | Нет | HEMT | GaN Si | 14.2 dB | N-Channel | 160 V | 3 V | 14 mA | 45 W | - 40 C | + 85 C | Screw Mount | TO-272 | Tray | ||||
NPT2022 | MACOM | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT | Нет | HEMT | GaN Si | 21 dB | N-Channel | 160 V | 3 V | 24 mA | 100 W | - 40 C | + 85 C | Screw Mount | Tray | |||||
NPT25100B | MACOM | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 2.1-2.7GHz 125W Gain 16.5dB GaN | Нет | GaN Si | Bulk | |||||||||||||||
NPTB00004A | MACOM | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT | Нет | HEMT | GaN Si | 16 dB | N-Channel | 100 V | 1.4 A | + 200 C | 11.6 W | SMD/SMT | SOIC-8 | Tray | ||||||
NPTB00025B | MACOM | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMT | Нет | GaN Si | Tray |