Всего результатов: 1824
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT33GF120B2RDQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT40GR120B2SCD10 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT100GN60B2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT11GP60KG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Si | |||||||||||||||
APT13GP120BDQ1G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT13GP120BG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 13A, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT15GN120BDQ1G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT15GN120SDQ1G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-268, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT15GP60BDLG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT15GP60BDQ1G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT15GP60BG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 15A, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT15GP60KG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | Нет | Si | |||||||||||||||
APT15GP90BDQ1G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT15GP90KG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | Нет | Si | |||||||||||||||
APT15GT120BRG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT15GT60BRDQ1G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT15GT60BRG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 15A, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT20GN60BDQ1G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 20A, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT20GT60BRDQ1G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT25GN120B2DQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, T-MAX, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT25GN120BG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT25GP120BG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 25A, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT25GP90BDQ1G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT25GR120B | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 25A, TO247 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT25GR120S | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 25A, TO-268 | Нет | Si | Tube |
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »