Поиск элементов в базе
По вашему запросу "APT15GP90BDQ1G" найдены следующие совпадения:
В базе элементов:
*для запроса элемента кликните по партномеру
| Партномер | Производитель | Изобр. | Datasheet | Склад |
|---|---|---|---|---|
| APT15GP90BDQ1G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi |
Microsemi Power Products Group |  |
 |
7041 20-25 дней |
| APT15GP90BDQ1G The Power MOS 7® IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching applications and has been optimized for high frequency switch mode power supplies. |
Microsemi |  |
|
от 21-27 |
| APT15GP90BDQ1G IGBT 900V 43A 250W TO247 |
Microsemi Corporation | |
|
9205 20-25 дней |
