Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7541
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
TIP32BCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-220-3PNPSingle80 V80 V5 V1.2 V5 A3 MHz- 65 C+ 150 CTIP32
TIP41Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 65WНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle40 V40 V5 V1.5 V6 A3 MHz- 65 C+ 150 CTIP41
TIP41BCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 65WНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle80 V80 V5 V1.5 V6 A3 MHz- 65 C+ 150 CTIP41
TIP41CCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 100Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 65WНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle100 V100 V5 V1.5 V6 A3 MHz- 65 C+ 150 CTIP41
TIP41C SLCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 100Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 65WНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle100 V100 V5 V6 A3 MHz- 65 C+ 150 CTIP41
TIP42Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 65WНетSiThrough HoleTO-220-3PNPSingle40 V40 V5 V1.5 V10 A3 MHz- 65 C+ 150 C
TIP42ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 65WНетSiThrough HoleTO-220-3PNPSingle60 V60 V5 V1.5 V10 A3 MHz- 65 C+ 150 C
TIP42BCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 65WНетSiThrough HoleTO-220-3PNPSingle80 V80 V5 V1.5 V10 A3 MHz- 65 C+ 150 C
TIP42CCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 100Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 65WНетSiThrough HoleTO-220-3PNPSingle100 V100 V5 V1.5 V3 MHz- 65 C+ 150 C
TIP42C SL PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 100Vcbo 100Vceo 5.0 Vebo 6.0A 65WНетSiThrough HoleTO-220-3PNPSingle100 V100 V5 V1.5 V3 MHz- 65 C+ 150 CTIP42
2DA1213YQ-13Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 2.5KНетSiSMD/SMTSOT-89-3PNPSingle- 50 V- 50 V- 6 V- 0.5 V- 2.5 A160 MHz- 55 C+ 150 C
2DA1971Q-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT Pwr Hi Voltage Transistor SOT89 T&R 1KДаSiSMD/SMTSOT-89-3PNPSingle- 400 V- 400 V- 7 V- 400 mV- 0.5 A75 MHz- 55 C+ 150 C
AC817-40Q-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 45V PNP SS Low Sat TransistorНетSiSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle45 V50 V5 V0.7 V0.5 A100 MHz- 65 C+ 150 C
AC847BWQ-13Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose TransistorНетSiSMD/SMTSOT-323-3NPNSingle45 V50 V6 V200 mV100 mA300 MHz- 65 C+ 150 C
AC847BWQ-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose TransistorНетSiSMD/SMTSOT-323-3NPNSingle45 V50 V6 V200 mV100 mA300 MHz- 65 C+ 150 C
AC847CQ-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose TransistorНетSiSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle45 V50 V6 V200 mV100 mA300 MHz- 65 C+ 150 C
AC857BQ-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose TransistorНетSiSMD/SMTPNPSingle- 45 V- 50 V- 5 V- 650 mV- 200 mA200 MHz- 65 C+ 150 C
AC857CQ-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose TransistorНетSiSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 45 V- 50 V- 5 V- 250 mV- 100 mA200 MHz- 65 C+ 150 C
AC857CWQ-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose TransistorНетSiSMD/SMTPNPSingle- 45 V- 50 V- 5 V- 650 mV- 200 mA200 MHz- 65 C+ 150 C
BC817-25Q-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose TransistorНетSiSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle45 V50 V5 V0.7 V1 A100 MHz- 65 C+ 150 CBC817-16Q / -25Q / -40Q
BC817-40Q-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT SS Low Sat TransistorНетSiSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle45 V50 V5 V0.7 V100 MHz- 65 C+ 150 CBC817-16Q / -25Q / -40Q
BC846ASQ-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose TransistorДаSiSMD/SMTNPNDual65 V80 V6 V600 mV200 mA100 MHz- 55 C+ 150 CBC846A
BC847PNQ-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose TransistorНетSiSMD/SMTSOT-363-6NPN, PNPSingle45 V50 V6 V600 mV300 MHz- 65 C+ 150 C
BC856B-13-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT NPN Small SIG -80V -65V VCEO -5.0 VEBOНетSiSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 65 V- 80 V- 5 V- 650 mV200 MHz- 65 C+ 150 CBC856B
BC857BS-13-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT NPN Small SIG -50V -45V VCEO 6.0V VEBOНетSiSMD/SMTSOT-363-6PNPDual- 45 V- 50 V- 5 V- 400 mV100 MHz- 55 C+ 150 CBC857B

Страницы