Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7541
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
MPS751Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT Complementary Trans 80Vcbo 60VceoНетSiThrough HoleTO-92-3PNPSingle60 V80 V5 V300 mV2 A75 MHz- 65 C+ 150 CMPS751
MPS8098Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 60Vcbo 60Vceo 6.0Vebo 500mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle60 V60 V6 V0.4 V150 MHz- 65 C+ 150 CMPS8098
MPS8099Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 80Vcbo NPN Trans 80Vceo 500mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle80 V80 V6 V400 mV500 mA150 MHz- 65 C+ 150 CMPS80
MPSA12 PBFREECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 20Vces 10Vebo 500mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle20 V1 V- 65 C+ 150 CMPSA
MPSA14 TRECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 30Vcbo 30Vces 10Vebo 500mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle30 V10 V1.5 V125 MHz- 65 C+ 150 CMPSA14
MPSA29 TRECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 100Vcbo 100Vces 12Vebo 500mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle100 V12 V1.5 V125 MHz- 65 C+ 150 CMPSA29
MPSA42 APMCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 300Vcbo 300Vceo 6.0Vebo 500mA 1.5WНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle300 V300 V6 V0.5 V50 MHz- 65 C+ 150 CMPSA42
MPSA42 TRECentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 300Vcbo 300Vceo 6.0Vebo 500mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle300 V300 V6 V0.5 V50 MHz- 65 C+ 150 CMPSA42
MPSA77 APMCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 60Vcbo 60Vces 10Vebo 500mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3PNPSingle60 V60 V10 V1.5 V125 MHz- 65 C+ 150 CMPSA77
MPSA77 TRACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 60Vcbo 60Vces 10Vebo 500mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3PNPSingle60 V60 V10 V1.5 V125 MHz- 65 C+ 150 CMPSA77A
MPSD54Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 40Vcbo 25Vcbo 10Vebo 100mA 100MHzНетSiThrough HoleTO-92-3PNPSingle10 V1 V100 MHzMPSD54
PMD10K100Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 100Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 12A 150WНетSiThrough HoleTO-3-2NPNSingle100 V100 V5 V2 V20 A4 MHz- 65 C+ 200 CPMD10K100
PMD12K100Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 8.0A 100Vcev 100Vceo 2.0V 100WНетSiThrough HoleTO-3-2NPNSingle100 V100 V5 V2 V8 A4 MHz+ 150 C
PMD16K100Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 60Vcbo 80Vceo 5.0 20A 40A 500mA 200WНетSiThrough HoleTO-3-2NPNSingle100 V100 V5 V2 V40 A4 MHz- 65 C+ 200 CPMD16K100
PN2484Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT SS TransistorНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle60 V60 V6 V350 mV50 mA15 MHz- 65 C+ 150 CPN2484
PN3563Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT SS TransistorНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle12 V30 V2 V600 MHzPN35
PN3565 TIN/LEADCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 30Vcbo 25Vceo 6.0Vebo 50mA 625mWДаSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle25 V30 V6 V0.35 V240 MHz- 65 C+ 150 CPN35
PN3568Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle60 V80 V5 V250 mV500 mA600 MHz- 65 C+ 150 CPN35
PN3646Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT SS TransistorНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle15 V40 V5 V0.5 V- 55 C+ 150 CPN36
PN4209Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 15Vcbo 15Vceo 4.5Vebo 200mA 625mWНетSiThrough HoleTO-92-3PNPSingle15 V15 V4.5 V0.6 V850 MHz- 65 C+ 150 CPN4209
TIP112Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 100Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 2.0A 50WНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle100 V100 V5 V2.5 V4 A25 MHz- 65 C+ 150 CTIP112
TIP29A SLCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 40Vcbo 5.0Vebo 40Vceo 30pD 1AНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle60 V60 V5 V0.7 V3 A3 MHz- 65 C+ 150 C
TIP30ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-220-3PNPSingle60 V60 V5 V700 mV3 A3 MHz- 65 C+ 150 CTIP30
TIP30BCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетSiThrough HoleTO-220-3PNPSingle80 V80 V5 V700 mV3 A3 MHz- 65 C+ 150 CTIP30
TIP32A SLCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 40WНетSiThrough HoleTO-220-3PNPSingle60 V60 V5 V1.2 V5 A3 MHz- 65 C+ 150 CTIP32

Страницы