Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7541
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
Jan2N3637L/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-5-3PNPSingle175 V175 V5 V0.3 V1 A- 65 C+ 200 C
JAN2N3637UB/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-3PNPSingle175 V175 V5 V0.3 V1 A- 65 C+ 200 C
Jan2N3700Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-18-3NPNSingle80 V140 V7 V0.5 V- 65 C+ 200 C
Jan2N3700/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-18-3NPNSingle80 V140 V7 V0.5 V1 A- 65 C+ 200 C
JAN2N3735/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle40 V75 V5 V0.9 V1.5 A- 65 C+ 200 C
JAN2N3735L/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-5-3NPNSingle40 V75 V5 V0.9 V1.5 A- 65 C+ 200 C
JAN2N3737UB/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-3NPNSingle40 V75 V5 V0.9 V1.5 A- 65 C+ 200 C
Jan2N3740Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-66-2PNPSingle60 V60 V7 V400 mV4 A- 65 C+ 200 C
Jan2N3810L/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-78-6PNPDual60 V60 V5 V0.2 V50 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N3810U/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-6PNPDual60 V60 V5 V0.2 V50 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N4033/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle80 V80 V5 V1 V1 A- 65 C+ 200 C
JAN2N4261/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-72-3PNPSingle- 15 V- 15 V- 4.5 V- 0.15 V- 30 mA- 65 C+ 200 C
JAN2N4261UB/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-3PNPSingle- 15 V- 15 V- 4.5 V- 0.15 V- 30 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N4449/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-46-3NPNSingle20 V6 V6 V0.45 V- 65 C+ 200 C
Jan2N4854/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-78-6NPN, PNPDual40 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
JAN2N4957UB/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-3PNPSingle- 30 V- 30 V- 3 V- 30 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N5581/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-206AB-3NPNSingle50 V75 V6 V0.3 V800 mA- 55 C+ 200 C
Jan2N5582/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-46-3NPNSingle50 V75 V6 V1 V800 mA- 55 C+ 200 C
Jan2N6987/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-116-14PNPQuad60 V60 V5 V1.6 V600 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N6988/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiSMD/SMTTO-86-14PNPQuad60 V60 V5 V1.6 V600 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N6989/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-116-14NPNQuad50 V75 V6 V0.3 V800 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N6990/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiSMD/SMTTO-86-14NPNQuad50 V75 V6 V1 V800 mA- 65 C+ 200 C
JAN2N918UB/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-3NPNSingle15 V30 V3 V0.4 V50 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N930Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-18-3NPNSingle45 V60 V6 V1 V30 mA- 55 C+ 200 C
Jan2N930/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-72-3NPNSingle15 V30 V3 V0.4 V50 mA- 65 C+ 200 C

Страницы