Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7541
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
Jan2N2905AL/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-5-3PNPSingle60 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N2906AMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-18-3PNPSingle60 V60 V5 V400 mV600 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N2906A/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-206AA-3PNPSingle60 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N2906AUA/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-4PNPSingle60 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
JAN2N2906AUB/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-3PNPSingle60 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N2907AMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-18-3PNPSingle60 V60 V5 V400 mV600 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N2907A/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-206AA-3PNPSingle60 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N2907AL/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-206AA-3PNPSingle60 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N2907AUA/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-4PNPSingle60 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N2907AUBMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTPNPSingle60 V60 V5 V400 mV600 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N2907AUB/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-3PNPSingle60 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N3019Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-5-3NPNSingle80 V140 V7 V200 mV1 A- 65 C+ 200 C
Jan2N3019/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle80 V140 V7 V0.5 V1 A- 65 C+ 200 C
JAN2N3439Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle350 V450 V7 V500 mV1 A- 65 C+ 200 C
Jan2N3485A/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-46-3PNPSingle60 V60 V5 V1.6 V600 mA- 55 C+ 200 C
Jan2N3498/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle100 V100 V6 V0.6 V500 mA- 65 C+ 200 C
JAN2N3498L/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-5-3NPNSingle100 V100 V6 V0.6 V500 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N3499/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle100 V100 V6 V0.6 V500 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N3499L/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-5-3NPNSingle100 V100 V6 V0.6 V500 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N3500/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle150 V150 V6 V0.4 V300 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N3501Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleNPNSingle150 V150 V6 V200 mV300 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N3501/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle150 V150 V6 V0.4 V300 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N3501L/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-5-3NPNSingle150 V150 V6 V0.4 V300 mA- 65 C+ 200 C
JAN2N3501UB/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-3NPNSingle150 V150 V6 V0.4 V300 mA- 65 C+ 200 C
Jan2N3637/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-205AD-3PNPSingle175 V175 V5 V0.3 V1 A- 65 C+ 200 C

Страницы