Вы здесь

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Всего результатов: 191
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТип транзистора Технология сортировать по убываниюУсиление Полярность транзистора Vds - напряжение пробоя сток-исток Vds - напряжение пробоя затвор-исток Id - непрерывный ток утечки Выходная мощность Максимальное напряжение сток-затвор Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Pd - рассеивание мощности Вид монтажа Упаковка / блок Упаковка
CGHV96050F2Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 WattНетTray
CE3512K2CELРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125CНетpHEMTGaAs4 V10 mA- 55 C+ 125 C125 mWSMD/SMTBulk
CE3514M4CELРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125CНетpHEMTGaAs10 mA- 55 C+ 125 C125 mWSMD/SMTBulk
CE3520K3CELРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125CНетGaAsBulk
CE3521M4CELРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125CНетGaAsBulk
TGF2018QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBmНетpHEMTGaAs14 dB8 V- 15 V58 mA12 V- 65 C+ 150 C640 mWSMD/SMTGel Pack
TGF2025QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 14dB NF .9dB P1dB 24dBmНетpHEMTGaAs14 dB8 V- 15 V81 mA12 V- 65 C+ 150 C890 mWSMD/SMTGel Pack
TGF2040QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz NF 1.1dB Gain 13dB P1dB 26dBmНетpHEMTGaAs13 dB8 V- 15 V129 mA- 65 C+ 150 C1.4 WSMD/SMTGel Pack
TGF2060QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBmНетpHEMTGaAs12 dB8 V- 3 V194 mA- 65 C+ 150 C2.1 WSMD/SMTGel Pack
TGF2080QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz NF 1.1dB Gain 11.5dB PAE 56%НетpHEMTGaAs11.5 dB12 V- 7 V259 mA- 12 V- 65 C+ 150 C4.2 WSMD/SMTGel Pack
TGF2120QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHzНетpHEMTGaAs11 dB8 V- 12 V194 mA+ 150 C4.2 WDieGel Pack
TGF2160QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIEНетpHEMTGaAs10.4 dB12 V- 7 V517 mA- 65 C+ 150 C5.6 WSMD/SMTGel Pack
MRFG35003N6AT1NXP / FreescaleРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5НетpHEMTGaAs10 dB8 V- 5 V2.9 A+ 85 CSMD/SMTPLD-1.5Cut Tape, MouseReel, Reel
SKY65050-372LFSkyworks Solutions, Inc.РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHzНетpHEMTGaAsN-Channel- 40 C+ 85 CSMD/SMTSC-70-4Cut Tape, MouseReel, Reel
MAAM-009455-TR1000MACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dBНетMESFETGaAs20.5 dB8 V375 mA- 40 C+ 85 CSMD/SMTPQFN-20Reel
MAAM-009455-TR3000MACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dBНетMESFETGaAs20.5 dB8 V375 mA- 40 C+ 85 CSMD/SMTPQFN-20Reel
QPD0030QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4GHz 45W GaN 48VНетGaN21.7 dB---45 W-- 40 C-45 WSMD/SMTQFN-20Cut Tape, Reel
QPD0050TR7QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.6GHz GaN 75W 48VНетGaN19.4 dB75 W- 40 CSMD/SMTDFN-6Reel
QPD0060QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.6GHz GaN 90W 48VНетGaN16.2 dB---90 W-- 40 C--SMD/SMTDFN-6Cut Tape, Reel
CG2H30070FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-2.0GHz, 60 WattНетHEMTGaN12.4 dBN-Channel120 V- 10 V, 2 V12 A70 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440224Tray
CG2H30070F-TB2Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Test Board without GaN HEMTДаHEMTGaN12 dBN-Channel120 V- 10 V, 2 V12 A85 W28 V- 40 C+ 150 CScrew MountCG2H30070FBulk
CG2H40010FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 WattНетHEMTGaN16.5 dBN-Channel120 V- 10 V, 2 V1.5 A10 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440166Tray
CG2H40025FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 WattНетHEMTGaN15 dBN-Channel120 V- 10 V, 2 V3 A25 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440166Tray
CG2H40045FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 WattНетHEMTGaN16 dBN-Channel120 V- 10 V, 2 V6 A45 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440193Tray
CG2H40120FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 28V DC-4.0GHz 120WНетHEMTGaNN-Channel120 WFlange MountTray

Страницы