Всего результатов: 1364
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- 53
- 54
- 55
- следующая ›
- последняя »
| Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Тип продукта | Вид монтажа | Упаковка / блок | Тип транзистора | Технология | Выходная мощность | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Усиление | Квалификация | Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AGR19060EF | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы 1.93-1.99GHz 12Watt Gain 15.5dB | Нет | RF MOSFET Transistors | Si | Tray | ||||||||||
| AGR19090EF | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы 1.93-1.99GHz 36Watt Gain 15dB | Нет | RF MOSFET Transistors | Si | Tray | ||||||||||
| AGR19125EF | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы 1.93-1.99GHz 24Watt Gain 15dB | Нет | RF MOSFET Transistors | Si | Tray | ||||||||||
| AGR19180EF | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы 1.93-1.99GHz 38Watt Gain 14.5dB | Нет | RF MOSFET Transistors | Si | Tray | ||||||||||
| AGR21030EF | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы 2.11-2.17GHz 7Watt Gain 14.5dB | Нет | RF MOSFET Transistors | Si | Tray | ||||||||||
| AGR21045EF | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы 2.11-2.17GHz 10Watt Gain 14.5dB | Нет | RF MOSFET Transistors | Si | Tray | ||||||||||
| AGR21060EF | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы 2.11-2.17GHz13.5Watt Gain 14.5dB | Нет | RF MOSFET Transistors | Si | Tray | ||||||||||
| AGR21090EF | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы 2.11-2.17GHz 19Watt Gain 14.5dB | Нет | RF MOSFET Transistors | Si | Tray | ||||||||||
| AGR21125EF | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы 2.11-2.17GHz 28Watt Gain 14dB | Нет | RF MOSFET Transistors | Si | Tray | ||||||||||
| AGR21180EF | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы 2.11-2.17GHz 38Watt Gain 14dB | Нет | RF MOSFET Transistors | Si | Tray | ||||||||||
| AGR26125EF | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы 2.5-2.7GHz 20Watt Gain 11.5dB | Нет | RF MOSFET Transistors | Si | Tray | ||||||||||
| AGR26180EF | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы 2.535-2.655GHz27Watt Gain 12.5dB | Нет | RF MOSFET Transistors | Si | Tray | ||||||||||
| BLF177 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | RF MOSFET Transistors | Si | Tray | ||||||||||
| BLF245 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | RF MOSFET Transistors | Si | Tray | ||||||||||
| BLF278 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | RF MOSFET Transistors | Si | Tray | ||||||||||
| BLF378 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | SOT-262A | Si | - 65 C | + 200 C | Tray | ||||||
| BLF861A | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | RF MOSFET Transistors | Si | Tray | ||||||||||
| BLW96 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | RF MOSFET Transistors | Si | Tray | ||||||||||
| MRF137 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | RF MOSFET Transistors | Si | Tray | ||||||||||
| MRF141 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | 221-11-3 | Si | - 65 C | + 200 C | Tray | ||||||
| MRF141G | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | RF MOSFET Transistors | Si | Tray | ||||||||||
| MRF151 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | RF MOSFET Transistors | Si | Tray | ||||||||||
| MRF151G | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | RF MOSFET Transistors | Si | Tray | ||||||||||
| MRF151GB | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | SOT-262A | Si | - 65 C | + 200 C | Tray | ||||||
| MRF151GC | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | SOT-262A | Si | - 65 C | + 200 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- 53
- 54
- 55
- следующая ›
- последняя »