Вы здесь

РЧ транзисторы

Всего результатов: 1364
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТип продукта сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Тип транзистора Технология Выходная мощность Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Усиление Квалификация Упаковка
T2G6001528-SGQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaNНетRF JFET TransistorsSMD/SMTHEMTGaN SiC17 W15 dBTray
T2G6003028-FLQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN FlangedНетRF JFET TransistorsHEMTGaN SiCTray
T2G6003028-FSQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN FlangelessНетRF JFET TransistorsHEMTGaN SiCTray
TGF2018QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBmНетRF JFET TransistorsSMD/SMTpHEMTGaAs- 65 C+ 150 C14 dBGel Pack
TGF2023-2-01QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dBНетRF JFET TransistorsDieHEMTGaN SiCGel Pack
TGF2023-2-02QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dBНетRF JFET TransistorsDieHEMTGaN SiCGel Pack
TGF2025QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 14dB NF .9dB P1dB 24dBmНетRF JFET TransistorsSMD/SMTpHEMTGaAs- 65 C+ 150 C14 dBGel Pack
TGF2040QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz NF 1.1dB Gain 13dB P1dB 26dBmНетRF JFET TransistorsSMD/SMTpHEMTGaAs- 65 C+ 150 C13 dBGel Pack
TGF2060QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBmНетRF JFET TransistorsSMD/SMTpHEMTGaAs- 65 C+ 150 C12 dBGel Pack
TGF2080QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz NF 1.1dB Gain 11.5dB PAE 56%НетRF JFET TransistorsSMD/SMTpHEMTGaAs- 65 C+ 150 C11.5 dBGel Pack
TGF2120QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHzНетRF JFET TransistorsDiepHEMTGaAs+ 150 C11 dBGel Pack
TGF2160QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIEНетRF JFET TransistorsSMD/SMTpHEMTGaAs- 65 C+ 150 C10.4 dBGel Pack
TGF2929-HMQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaNНетRF JFET TransistorsSMD/SMTHEMTGaN SiC132 W- 40 C+ 85 C17.4 dBWaffle
TGF2933QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaNНетRF JFET TransistorsSMD/SMTHEMTGaN SiC7.2 W- 40 C+ 85 C15 dBGel Pack
TGF2935QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-25GHz 5Watt NF 1.3dB GaNНетRF JFET TransistorsSMD/SMTHEMTGaN SiC4.8 W- 40 C+ 85 C16 dBGel Pack
TGF2941QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-25GHz 4Watt NF 1.3dB GaNНетRF JFET TransistorsSMD/SMTHEMTGaN SiC2.4 W- 40 C+ 85 C16 dBGel Pack
TGF2942QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-25GHz 2Watt NF 1.2dB GaNНетRF JFET TransistorsSMD/SMTHEMTGaN SiC2.4 W- 40 C+ 85 C18 dBGel Pack
TGF2952QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-14GHz 5W 32V GaN P3dB @ 3GHz 38.6dBmНетRF JFET TransistorsSMD/SMTDieHEMTGaN SiC38.4 dBm- 65 C+ 150 C20.4 dBGel Pack
TGF2953QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBmНетRF JFET TransistorsSMD/SMTDieHEMTGaN SiC41.6 dBm- 65 C+ 150 C18.2 dBGel Pack
TGF2965-SMQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32VНетRF JFET TransistorsSMD/SMTQFN-16HEMTGaN SiC6 W--18 dBTray
TGF2977-SMQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dBНетRF JFET TransistorsSMD/SMTQFN-16HEMTGaN SiC6 W+ 225 C13 dBTray
TGF3015-SMQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaNНетRF JFET TransistorsSMD/SMTQFN-EP-16HEMTGaN SiC11 W17.1 dBTray
A2G22S160-01SR3NXP / FreescaleРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 32 W Avg., 48 VНетRF JFET TransistorsSiReel
A2G26H280-04SR3NXP / FreescaleРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 VДаRF JFET TransistorsSiReel
A2G26H281-04SR3NXP SemiconductorsРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 VНетRF JFET TransistorsSMD/SMTNI-780S-4GaN50 W- 55 C+ 150 C14.2 dBReel

Страницы