Вы здесь

РЧ транзисторы

Всего результатов: 1364
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТип продукта сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Тип транзистора Технология Выходная мощность Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Усиление Квалификация Упаковка
QPD1015QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaNНетRF JFET TransistorsSMD/SMTNI-360HEMTGaN SiC70 W- 40 C+ 85 C20 dBTray
QPD1015LQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaNНетRF JFET TransistorsScrew MountNI-360HEMTGaN SiC70 W- 40 C+ 85 C20 dBTray
QPD1016QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 500 Watt, 50 Volt, DC-1.7 GHz, GaN RF TransistorНетRF JFET TransistorsSMD/SMTNI780-2HEMTGaN SiC680 W- 40 C+ 85 C23.9 dB
QPD1017QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 500 Watt, 50 Volt, 3.1 - 3.5 GHz, GaN RF IMFETНетRF JFET TransistorsSMD/SMT17.4 mm x 24 mm x 4.31 mmHEMTGaN SiC460 W- 40 C+ 85 C15.7 dB
QPD1022SRQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-12GHz 10W 32V GaNНетRF JFET TransistorsSMD/SMTQFN-16HEMTGaN SiC10 W- 40 C+ 85 C24 dBCut Tape, MouseReel, Reel
QPD1025LQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65VНетRF JFET TransistorsSMD/SMTNI-1230-4HEMTGaN SiC1.5 kW- 40 C+ 85 C22.9 dBTray
QPD1823QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 1.8-2.4GHz GaN 220W 48VНетRF JFET TransistorsSMD/SMTNI400-2HEMTGaN SiC220 W- 40 C-21 dBTray
QPD1881LQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 400 Watt, 50 Volt, 2.7-2.9 GHz, GaN RF TransistorНетRF JFET TransistorsSMD/SMTNI780-2HEMTGaN SiC- 40 C+ 85 C21.2 dB
QPD2194SRQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power TransistorНетRF JFET TransistorsSMD/SMTNI400-2HEMTGaN SiC371 W- 40 C+ 85 C19.1 dBReel
QPD2195SRQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power TransistorНетRF JFET TransistorsSMD/SMTNI780-2HEMTGaN SiC400 W- 40 C20.4 dBReel
QPD2730QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaNНетRF JFET TransistorsSMD/SMTNI780-4HEMTGaN SiC36 W- 40 C+ 85 C16 dBWaffle
QPD2731SRQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 110/200 Watt, 48 Volt, 2.5-2.7 GHz, GaN Asymmetric DohertyНетRF JFET TransistorsSMD/SMTNI780-4HEMTGaN SiC316 W- 40 C+ 85 C16.3 dBReel
QPD2793QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 2.62-2.69GHz GaN 200W 48VНетRF JFET TransistorsSMD/SMTNI400-2HEMTGaN SiC200 W- 40 C-19 dBTray
QPD2795QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 2.5-2.7GHz 360W 48V Gain 22dB GaNНетRF JFET TransistorsSMD/SMTNI780-2HEMTGaN SiC364 W- 40 C+ 85 C22 dBWaffle
QPD2796QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 2.5-2.7GHz GaN 200W 48VНетRF JFET TransistorsSMD/SMTNI400-2HEMTGaN SiC200 W- 40 C-20 dBTray
T1G2028536-FLQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaNНетRF JFET TransistorsSMD/SMTHEMTGaN SiC260 W+ 275 C20.8 dBTray
T1G2028536-FSQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaNНетRF JFET TransistorsSMD/SMTHEMTGaN SiC260 W+ 250 C18 dBTray
T1G4004532-FLQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dBНетRF JFET TransistorsSMD/SMTGaN SiCTray
T1G4004532-FSQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dBНетRF JFET TransistorsSMD/SMTGaN SiCTray
T2G4003532-FLQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaNНетRF JFET TransistorsHEMTGaN SiC30 W16 dBTray
T2G4003532-FSQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaNНетRF JFET TransistorsHEMTGaN SiC30 WTray
T2G4005528-FSQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN FlangelessНетRF JFET TransistorsHEMTGaN SiC55 W16 dBTray
T2G6000528-Q3QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHzНетRF JFET TransistorsSMD/SMTHEMTGaN SiC10 W--15 dBTray
T2G6000528-Q3 28VQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaNНетRF JFET TransistorsHEMTGaN SiCTray
T2G6001528-Q3QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaNНетRF JFET TransistorsHEMTGaN SiCTray

Страницы