Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
BC807-16W RFGTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT Transistor 200mWНетSiSMD/SMTSOT-323-3PNPSingle- 45 V- 50 V- 5 V- 0.7 V- 0.5 A80 MHz- 55 C+ 150 C
BC807-25W RFGTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT Transistor 200mWНетSiSMD/SMTSOT-323-3PNPSingle- 45 V- 50 V- 5 V- 0.7 V- 0.5 A80 MHz- 55 C+ 150 C
BC807-40 RFGTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT Transistor 300mWНетSiSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 45 V- 50 V- 5 V- 0.7 V- 0.5 A100 MHz- 55 C+ 150 CBC807-xx
BC807-40W RFGTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT Transistor 200mWНетSiSMD/SMTSOT-323-3PNPSingle- 45 V- 50 V- 5 V- 0.7 V- 0.5 A80 MHz- 55 C+ 150 C
BC817-16 RFTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT Transistor 300mWНетSiSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle45 V50 V5 V0.7 V500 mA100 MHz- 55 C+ 150 CBC817-xx
BC817-40 RFTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT Transistor 300mWНетSiSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle45 V50 V5 V0.7 V500 mA100 MHz- 55 C+ 150 CBC817-xx
BC846B RFGTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT Transistor 200mWНетSiSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle65 V80 V6 V0.5 V0.1 A100 MHz- 55 C+ 150 CBC846/7/8
BC848C RFTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT Transistor 200mWНетSiSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle30 V30 V5 V0.5 V0.1 A100 MHz- 55 C+ 150 CBC846/7/8
BC856B RFTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT Transistor 200mWНетSiSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 65 V- 80 V- 5 V- 0.65 V- 0.1 A100 MHz- 55 C+ 150 C
BC857C RFTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT Transistor 200mWНетSiSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 45 V- 50 V- 5 V- 0.65 V- 0.1 A100 MHz- 55 C+ 150 C
KTC3198-BL A1GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Transistor Hfe 300-700НетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle50 V60 V5 V0.25 V0.15 A80 MHz- 55 C+ 150 C
KTC3198-O A1GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Transistor Hfe 70-140НетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle50 V60 V5 V0.25 V0.15 A80 MHz- 55 C+ 150 C
KTC3198-Y A1GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Transistor Hfe 120-240НетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle50 V60 V5 V0.25 V0.15 A80 MHz- 55 C+ 150 C
MMBT3904 RFGTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 0.2A NPN transistorНетSiSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle40 V60 V6 V0.3 V200 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
TS13002ACT A3GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 700V 0.3A High Voltage/SpeedНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle400 V700 V9 V1.5 V0.3 A4 MHz- 55 C+ 150 C
TS13002ACT B0GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT TO-92, 700V 0.3A NPN Bplr TransНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle400 V700 V9 V0.2 V0.5 A4 MHz- 55 C+ 150 CTS13002ACT
TS13005CK C0GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT High Voltage NPN TransistorНетSiThrough HoleTO-126-3NPNSingle400 V700 V9 V0.55 V3 A+ 150 C
TSA1036CX RFGTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP TransistorНетSiSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 60 V- 60 V- 5 V- 0.4 V- 0.6 A200 MHz- 55 C+ 150 C
TSA1765CW RPGTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP TransistorНетSiSMD/SMTSOT-223-3PNPSingle- 560 V- 560 V- 7 V- 0.5 V- 150 mA50 MHz- 55 C+ 150 C
TSA874CW RPGTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP TransistorНетSiSMD/SMTSOT-223-3PNPSingle- 500 V- 500 V- 5 V- 0.5 V- 150 mA50 MHz- 55 C+ 150 C
TSA884CX RFGTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP TransistorНетSiSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 500 V- 500 V- 5 V- 0.5 V- 150 mA50 MHz- 55 C+ 150 C
TSB772CK B0GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP TransistorНетSiThrough HoleTO-126-3PNPSingle- 30 V- 50 V- 5 V- 0.3 V- 3 A80 MHz- 55 C+ 150 C
TSC136CZ C0GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT High voltage NPN TransistorНетSiThrough HoleTO-220-3NPNSingle400 V700 V9 V1.5 V3 A4 MHz+ 150 C
TSC2411CX RFGTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN TransistorНетSiSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle40 V75 V6 V0.5 V600 mA300 MHz- 55 C+ 150 C
TSC4505CX RFGTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN TransistorНетSiSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle400 V400 V6 V0.1 V300 mA20 MHz- 55 C+ 150 C

Страницы